Abstract

W monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna uGE(qG) dla warunków spodziewanej pracy tranzystora. Wykazano, iż parametry charakterystyki aproksymującej pojemność CCE nie mogą być pozyskiwane na drodze analizy danych katalogowych, lecz wymagają pomiaru przebiegów: uGE(t), uCE(t) oraz iC(t) dla spowolnionego trybu wyłączania tranzystora. Jako środowisko symulacyjne przyjęto środowisko języka C++ oraz symulatory MATLAB-Simulink i SABER. Weryfikacja eksperymentalna opracowanych modeli tranzystorów CM200DY-24A(Mitsubishi) oraz BUP-203(Siemens) obejmowała testy w warunkach komutacji twardej w układzie przerywacza szeregowego oraz dla modelu tranzystora CM200DY-24A w warunkach komutacji miękkiej w układzie pośredniego przemiennika częstotliwości z quasi-rezonansowym obwodem równoległym. Dodatkowo przeprowadzono testy porównawcze opracowanego modelu tranzystora modułowego CM200DY-24A z modelem bibliotecznym zaimplementowanym z symulatorze SABER. Zakres pracy obejmuje również przegląd i charakterystykę najpowszechniej obecnie wykorzystywanych modeli tranzystorów IGBT stosowanych w symulacji układów energoelektronicznych.

Author (1)