Behawioralny model tranzystora IGBT

Marek Turzyński; Piotr Chrzan

Behawioralny model tranzystora IGBT

Abstract

W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.

Authors (2)

Marek Turzyński dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology
Piotr Chrzan prof. dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Published in:: Przegląd Elektrotechniczny pages 87 - 94,
ISSN: 0033-2097
Language:: Polish
Publication year:: 2010
Bibliographic description:: Turzyński M., Chrzan P.: Behawioralny model tranzystora IGBT// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 2 (2010), s.87-94
Verified by:: Gdańsk University of Technology