Electrical and noise responses of graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor for nitrogen dioxide, teatrahydrofuran, and acetone sensing

Opis

This data set consists of raw and modified data concerning current-voltage characteristics and low-frequency noise spectra measured for graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor in the ambiance of selected gases (laboratory air, dry and wet synthetic air, nitrogen dioxide, tetrahydrofuran, and acetone). The data show that sensor responses are enhanced when utilizing UV irradiation (275 nm) compared to dark conditions.

Plik z danymi badawczymi

Graphene_AlGaN_GaN.zip

3.9 MB, S3 ETag 793ea02fdc8a5ed7cef10c5a4d0e0343-1, pobrań: 48

Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5

pobierz

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:: otwiera się w nowej karcie

CC BY

Uznanie autorstwa
Oprogramowanie:: Origin/Origin Viewer

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:

2024

Data zatwierdzenia:

2024-03-01

Język danych badawczych:

angielski

Dyscypliny:

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)

DOI:

10.34808/6019-g686

Finansowanie:

System detekcji gazu za pomocą czujników wykonanych z materiałów o strukturze dwuwymiarowej

Weryfikacja:

Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Powiązane zasoby

publikacja The effects of gas exposure on the graphene/AlGaN/GaN heterostructure under UV irradiation

Cytuj jako

Autorzy

wyświetlono 66 razy

Wyszukiwarka