Opis
Graphene oxides based films were measured by X-ray photoemission spectroscopy (XPS) method. TheXPS measurements were carried out with the Omicron NanoTechnology UHV equipment. The hemispherical spectrophotometer was equipped with a 128-channel collector. The XPS measurements were performed at room temperature at a pressure below 1.1 × 10−8 mBar. The photoelectrons were excited by an Mg-Kα X-Ray source. The X-ray source was operated at 15 kV and a power of 300 W. Obtained results were analyzed by CasaXPS software. For measurements thin films deosited on a PCB board of the pure graphene oxide (GO), reduced graphene oxide (rGO) and functionalized by S and N elements graphene oxide were selected. Nitrogen doped graphene oxide was synthesized by the hydrthermal method. O1s, C1s, N1s and S2phigh resolution spectra were recorded.
Plik z danymi badawczymi
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count}
gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcieCC BYUznanie autorstwa
- Dane surowe:
- Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
- Oprogramowanie:
- origin
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-07-20
- Data wytworzenia:
- 2019
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/jkqt-rz26 otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 113 razy