Wyszukiwarka
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
Abstrakt
W pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- materiały konferencyjne indeksowane w Web of Science
- Tytuł wydania:
- 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR COMMNICATIONS, PROCEEDINGS strony 316 - 319
- Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2002
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Stefański T..: A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies., W: 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR COMMNICATIONS, PROCEEDINGS, 2002, ,.
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 106 razy