Wyszukiwarka
Abstrakt
We present a simple model of the trap-assisted recombination combined with the excitonic Auger mechanism. It has been shown that only six independent transitions of electrons and holes should be taken into account to describe a combination of the Shockley–Read–Hall (SRH) recombination with this excitonic process. This is in opposition to a well-known model of the SRH mechanism with the free carriers Auger effect via deep states, where eight separated transitions take place. The derived equation for the effective recombination rate can be useful for modeling the excitonic processes in semiconductors, especially in photovoltaic and optoelectronic devices.
Cytowania
-
4
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4
Scopus
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 125 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
- Copyright (2020 Springer Nature Switzerland AG)
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
European Physical Journal Plus
nr 135,
strony 1 - 7,
ISSN: 2190-5444 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2020
- Opis bibliograficzny:
- Szmytkowski J.: A simple model of the trap-assisted recombination with the excitonic Auger mechanism// European Physical Journal Plus -Vol. 135, (2020), s.1-7
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1140/epjp/s13360-019-00058-3
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 187 razy