Electrical and Noise Characteristics of Fin-Shaped GaN/AlGaN Devices for High Frequency Operation - Publikacja - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

Electrical and Noise Characteristics of Fin-Shaped GaN/AlGaN Devices for High Frequency Operation

Abstrakt

Cytowania

  • 3

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 3

    Scopus

Autorzy (9)

  • Zdjęcie użytkownika P. Sai

    P. Sai

  • Zdjęcie użytkownika D. But

    D. But

  • Zdjęcie użytkownika M. Dub

    M. Dub

  • Zdjęcie użytkownika M. Sakowicz

    M. Sakowicz

  • Zdjęcie użytkownika B. Grzywacz

    B. Grzywacz

  • Zdjęcie użytkownika P. Prystawko

    P. Prystawko

  • Zdjęcie użytkownika G. Cywinski

    G. Cywinski

  • Zdjęcie użytkownika W. Knap

    W. Knap

  • Zdjęcie użytkownika S. Rumyantsev

    S. Rumyantsev

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2019
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/essderc.2019.8901702
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 1 razy

Meta Tagi