Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach

Slavik Melkonyan; Hayk Asriyan; Armenuhi Surmalyan; Janusz Smulko

Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach

Abstrakt

Praca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations in non-degenerate semiconductors is studied in the frames of the newly developed variance approach theory. Expressions for electron mobility variances conditioned by the fluctuations of conduction band energy level occupancy and electron quasi-momentum relaxation time are obtained and analysed. It is established that the fluctuations of the quasi-momentum relaxation time cannot be a "self-reliant" source of current 1/f-noise. A new and more general expression for Hooge's coefficient is proposed. The newly proposed approach makes possible to investigate properties of spectral density of noises in a novel way incorporating potential mechanisms of fluctuations origin in semiconductors.

Autorzy (4)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

pełna treść artykułu zobacz w serwisie zewnętrznym otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach
Opublikowano w:: Armenian Journal of Physics nr 4, strony 62 - 73,
ISSN: 1829-1171
Język:: angielski
Rok wydania:: 2011
Opis bibliograficzny:: Melkonyan S., Asriyan H., Surmalyan A., Smulko J.: Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach// Armenian Journal of Physics -Vol. 4,iss. 1 (2011), s.62-73
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska