Wyszukiwarka
Abstrakt
The expected outstanding performance of GaN-based transistors in power applications, characterized by high switching frequency, efficiency, and compactness, requires that the design rules of converter layout optimization, filtering, and shielding need to be reexamined. Addressing the above topics, this paper reviews commercial GaN power transistors and specifies their integration techniques, including printed circuit board (PCB) embedded solutions. Then, referring to the optimization results of a half-bridge inverter leg, design techniques are presented that reduce the harmful effect of inductive and capacitive internal converter couplings, thus mitigating the electromagnetic interference (EMI) conducted emissions.
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Autorzy (2)
-
Pawel B. Derkacz
- Arex (WB Group), ul.Hutnicza 3, 80-212 Gdynia
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
ENERGIES
nr 18,
ISSN: 1996-1073 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2025
- Opis bibliograficzny:
- Chrzan P., Derkacz P. B.: GaN Power Transistors in Converter Design Techniques// ENERGIES -,iss. 18/11 (2025),
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/en18112890
- Źródła finansowania:
-
- Publikacja bezkosztowa
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 0 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
- P. Derkacz,
- J. Schanen,
- P. Jeannin
- + 3 autorów