Heteroleptic cadmium(II) complex, potential precursor for semiconducting CdS layers. Thermal stability and non-isothermal decomposition kinetics
Abstrakt
W ramach pracy zweryfikowano stabilność termiczną [Cd{SSi(OBut)3}(S2CNEt2)]2 - potencjalnego prekursora do otrzymywania warstw półprzewodnikowych CdS. Równocześnie przeprowadzono analizę kinetyki rozkładu za pomocą różnych metod izokonwersyjnych zaproponowanych przez Flynn-Wall-Ozawa, Kissinger-Akahira-Sunose i Friedmanna w wyniku czego wyznaczono całkowity tryplet kinetyczny dla omawianego kompleksu.
Cytowania
-
3 1
CrossRef
-
0
Web of Science
-
3 5
Scopus
Autorzy (5)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
JOURNAL OF THERMAL ANALYSIS AND CALORIMETRY
nr 91,
strony 903 - 909,
ISSN: 1388-6150 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2008
- Opis bibliograficzny:
- Mietlarek-Kropidłowska A., Rotaru A., Strankowski M., Becker B., Segal E.: Heteroleptic cadmium(II) complex, potential precursor for semiconducting CdS layers. Thermal stability and non-isothermal decomposition kinetics// JOURNAL OF THERMAL ANALYSIS AND CALORIMETRY. -Vol. 91., (2008), s.903-909
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1007/s10973-007-8553-2
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 156 razy