High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors

Abstrakt

Cytowania

  • 1 2

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1 1

    Scopus

Autorzy (17)

  • Zdjęcie użytkownika  D. Coquillat

    D. Coquillat

  • Zdjęcie użytkownika  V. Nodjiadjim

    V. Nodjiadjim

  • Zdjęcie użytkownika  S. Blin

    S. Blin

  • Zdjęcie użytkownika  A. Konczykowska

    A. Konczykowska

  • Zdjęcie użytkownika  N. Dyakonova

    N. Dyakonova

  • Zdjęcie użytkownika  C. Consejo

    C. Consejo

  • Zdjęcie użytkownika  P. Nouvel

    P. Nouvel

  • Zdjęcie użytkownika  A. Pènarier

    A. Pènarier

  • Zdjęcie użytkownika  J. Torres

    J. Torres

  • Zdjęcie użytkownika  D. But

    D. But

  • Zdjęcie użytkownika  S. Ruffenach

    S. Ruffenach

  • Zdjęcie użytkownika  F. Teppe

    F. Teppe

  • Zdjęcie użytkownika  M. Riet

    M. Riet

  • Zdjęcie użytkownika  A. Muraviev

    A. Muraviev

  • Zdjęcie użytkownika  A. Gutin

    A. Gutin

  • Zdjęcie użytkownika  M. Shur

    M. Shur

  • Zdjęcie użytkownika  W. Knap

    W. Knap

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:
International Journal of High Speed Electronics and Systems nr 25, wydanie 03n04,
ISSN: 0129-1564
ISSN:
0129-1564
Rok wydania:
2016
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1142/s0129156416400115
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 0 razy

Meta Tagi