Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes

Abstrakt

W artykule przedstawiono wyniki pomiaró szumów cz. wstecznie spolaryzowanych diod Schottky'ego.

Cytowania

  • 1

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Aktywność konferencyjna
Typ:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Tytuł wydania:
Noise and Fluctuations Twentieth International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF-2009) Pisa, Italy, 14-19 June 2009 strony 645 - 648
Język:
angielski
Rok wydania:
2009
Opis bibliograficzny:
Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.: Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes// Noise and Fluctuations Twentieth International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF-2009) Pisa, Italy, 14-19 June 2009/ ed. eds. Massimo Macucci, Giovanni Basso. Berlin: Springer, 2009, s.645-648
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1063/1.3140557
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 64 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi