Noise limitations of GaN lateral Schottky diodes for THz applications - Publikacja - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

Noise limitations of GaN lateral Schottky diodes for THz applications

Abstrakt

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Autorzy (10)

  • Zdjęcie użytkownika G. Cywinski

    G. Cywinski

  • Zdjęcie użytkownika I. Yahniuk

    I. Yahniuk

  • Zdjęcie użytkownika K. Szkudlarek

    K. Szkudlarek

  • Zdjęcie użytkownika P. Kruszewski

    P. Kruszewski

  • Zdjęcie użytkownika G. Muziol

    G. Muziol

  • Zdjęcie użytkownika C. Skierbiszewski

    C. Skierbiszewski

  • Zdjęcie użytkownika A. Khachapuridze

    A. Khachapuridze

  • Zdjęcie użytkownika W. Knap

    W. Knap

  • Zdjęcie użytkownika D. But

    D. But

  • Zdjęcie użytkownika S. Rumyantsev

    S. Rumyantsev

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2017
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/icnf.2017.7985994
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Meta Tagi