Silicon field-effect transistors as radiation detectors for the Sub-THz range

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:: SEMICONDUCTORS+ nr 46, wydanie 5, strony 678 - 683,
ISSN: 1063-7826
ISSN:: 1063-7826
Rok wydania:: 2012
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1134/s1063782612050107
Weryfikacja:: Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Wyszukiwarka