Sub-THz radiation room temperature sensitivity of long-channel silicon field effect transistors

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:: Opto-Electronics Review nr 20, wydanie 2,
ISSN: 1896-3757
ISSN:: 1896-3757
Rok wydania:: 2012
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.2478/s11772-012-0024-z
Weryfikacja:: Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Wyszukiwarka