Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

Abstrakt

Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 16, strony 519 - 526,
ISSN: 1732-1166
Język:
polski
Rok wydania:
2008
Opis bibliograficzny:
Kordalski W.: Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.519-526
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 110 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi