Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 14
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (11)
Wyniki wyszukiwania dla: MOLECULAR ELECTRONICS
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
-
Katedra Technologii Polimerów
Potencjał BadawczyW Katedrze Technologii Polimerów realizowane są prace badawczo-wdrożeniowe, wykonywane ekspertyzy i analizy oraz prowadzone są szkolenia w zakresie technologii polimerów oraz przetwórstwa i recyklingu tworzyw sztucznych. Oferujemy nowe technologie i przeprowadzamy modyfikacje technologii już istniejących.
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Potencjał BadawczyBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (3)
Wyniki wyszukiwania dla: MOLECULAR ELECTRONICS
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Nanomateriałów CZT
Oferta BiznesowaBadanie właściwość powierzchni z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych
-
Laboratorium Materiałów Optoelektronicznych Innowacyjnych Materiałów i Displejów – Centrum Zaawansowanych Technologii
Oferta BiznesowaStanowisko do optycznych nieinwazyjnych badań właściwości i charakteryzacji materiałów i elementów pozwalające na optymalizację technologii ich wytwarzania i rozszerzenie domeny ich zastosowań z wykorzystaniem:; • optycznej tomografii koherentnej – jest to metoda umożliwiająca nieinwazyjne badania cienkich warstw i elementów,; • spektroradiometrii – jest to metoda umożliwiająca badania właściwości displejów, źródeł światła i elementów...
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (332)
Wyniki wyszukiwania dla: MOLECULAR ELECTRONICS
-
Towards mechanosynthesis of diamondoid structures: iv. The strategy for preliminary implementation of elenbogen's ''mater as software'' concept
PublikacjaOpublikowana wcześniej (Molecular Electronics and Molecular Electronic Devices, Vol. 1, Chap. 2, CRC Press, Inc. 1993, pp. 31-83) strategia budowy molekularnych urządzeń ulektronicznych w oparciu o polisilany jest rozszerzona w kierunku koncepcji Ellenbogena ''mater as software'' poprzez rozważenie użycia zamkniętej jednościennej nanorórki jako ostrza STM w celu umożliwienia manipulacji cząsteczkami sililenu.
-
Evidence for solid state electrochemical degradation within a small molecule OLED
PublikacjaAcridone derivative have been synthesised and used as OLED (Organic Light Emitting Diode) emitters which were found to be electroactive. Electrochemical investigations showed a side reaction takes place inside an active layer which diminished the overall device efficiency. By using a dopant and host active layer architecture, the formation of the by product was removed. The by-product was identified as a σ-dimer formed inside an...
-
A Model of Thermally Activated Molecular Transport: Implementation in a Massive FPGA Cluster
Publikacja -
Paweł Możejko dr hab.
Osoby -
GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications
PublikacjaPrzy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...