Filtry
wszystkich: 138
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (104)
Wyniki wyszukiwania dla: SMALL SIGNAL SATURATION
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Katedra Inżynierii Elektrycznej Transportu
Potencjał Badawczy* Diagnostyka techniczna i monitoring w systemach transportu zelektryfikowanego * Metody diagnostyki technicznej i monitoringu odbieraków prądu oraz górnej sieci trakcyjnej, w szczególności metody wizyjne * Modele matematyczne i symulacyjne odbieraków prądu i górnej sieci trakcyjnej * Modelowanie i analiza elektrotrakcyjnych układów zasilania * Modelowanie i sterowanie napędami elektrycznymi pojazdów * Redukcja zużycia energii...
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Potencjał Badawczy* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (34)
Wyniki wyszukiwania dla: SMALL SIGNAL SATURATION
-
Mobilne Laboratorium Diagnostyki i Technologii Środowiska
Oferta BiznesowaLaboratorium Diagnostyki i Technologii Środowiska umożliwia pomiar, analizę i ocenę istniejących oraz nowo opracowanych procesów technologicznych w skali ułamkowo technicznej. Ze względu na złożoność procesów chemicznych i zagadnień związanych z ochroną środowiska często występuje konieczność prowadzenia badań w miejscu powstawania odpadów lub prowadzenia procesu produkcyjnego. Z tego powodu zaprojektowano i wykonano instalację...
-
FPGA/VHDL
Oferta Biznesowa -
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (4159)
Wyniki wyszukiwania dla: SMALL SIGNAL SATURATION
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Small-signal admittance for Schottky-Richardson emission into an organic layer
PublikacjaPraca przedstawia małosygnalową admitancję emisji Schottky'ego-Richardsona do warstwy organicznej. Analiza obejmuje obie składowe zespolonej odpowiedzi.
-
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
PublikacjaA novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.