A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...

W artykule wprowadzamy strukturę zespolonego filtru o skończonej odpowiedzi impulsowej (ang. finite impulse response - FIR) ze zmiennym opóźnieniem ułamkowym (ang. fractional delay - FD). Strukturę tę otrzymujemy na podstawie przestrajanego filtru FD FIR o współczynnikach rzeczywistych. Stanowi ona połączenie zbioru liniowo-fazowych filtrów FIR o współczynnikach stałych rzeczywistych i dwóch łańcuchów mnożąco-akumulujących, zawierających...