Filtry
wszystkich: 123
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (95)
Wyniki wyszukiwania dla: graphene field-effect transistor
-
Katedra Metrologii i Systemów Informacyjnych
Potencjał Badawczy* Diagnostyka silników elektrycznych i magnesów nadprzewodzących * Metody pomiaru impedancji zwarciowej * Zastosowania modulowanych częstotliwościowo sygnałów impulsowych * Pomiary dla diagnostyki medycznej * Ocena niepewności pomiaru * Zastosowanie grafenu do wykrywania elektronicznego
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Potencjał BadawczyBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (28)
Wyniki wyszukiwania dla: graphene field-effect transistor
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Nanomateriałów CZT
Oferta BiznesowaBadanie właściwość powierzchni z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych
-
Laboratorium LINTE^2
Oferta BiznesowaBadania w zakresie elektroenergetyki, energoelektroniki i przyłączania nowoczesnych źródeł energii do sieci elektroenergetycznej
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (246)
Wyniki wyszukiwania dla: graphene field-effect transistor
-
The behavioural model of graphene field-effect transistor
PublikacjaThe behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations...
-
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
PublikacjaMicroflow sensors offer great potential for applications in microfluidics and lab-on-a-chip systems. However, thermal-based sensors, which are commonly used in modern flow sensing technology, are mainly made of materials with positive temperature coefficients (PTC) and suffer from a self-heating effect and slow response time. Therefore, the design of novel devices and careful selection of materials are required to improve the overall...
-
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications
PublikacjaA top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 10 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 3 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...