Filtry
wszystkich: 11
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (10)
Wyniki wyszukiwania dla: sic
-
Katedra Automatyki Napędu Elektrycznego i Konwersji Energii
Potencjał Badawczy* nieliniowe sterowanie maszynami elektrycznymi * napędy elektryczne o sterowaniu bez czujnikowym * sterowanie przekształtnikami energoelektronicznymi, w tym przekształtnikami na średnie napięcia i przekształtnikami sieciowymi * energoelektroniczne układy przetwarzania energii w odnawialnych źródłach energii * projektowanie i badanie falowników i przetwornic * projektowanie układów sterowania mikroprocesorowego z wykorzystaniem...
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Materiałów Konstrukcyjnych
Potencjał BadawczyKształtowanie własności materiałów konstrukcyjnych i opis ich środowiskowej degradacji
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (1)
Wyniki wyszukiwania dla: sic
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (108)
Wyniki wyszukiwania dla: sic
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publikacja -
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublikacjaWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publikacja