Search
Abstract
W pracy wykazano: zależność wzrostu prądu zwarcia wskutek absorpcji dodatkowych fotonów ze wzrostem temperatury, spadek napięcia wbudowanego złącza p-n wraz ze wzrostem temperatury, wpływ temperatury na zmianę napięcia otwartego obwodu. Dodatkowo wyznaczone odpowiednie współczynniki temperaturowe porównano z wartościami wynikającymi z rozważań teoretycznych. Badano parametry elektryczne następujących elementów wykonanych z amorficznego krzemu: foto-diody BPYP 35, BPYP 30 oraz ogniw fotowoltaicznych krzemowych produkcji firmy Siemens.
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Published in:
-
ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT
no. 43,
edition 14,
pages 1889 - 1900,
ISSN: 0196-8904 - Language:
- English
- Publication year:
- 2002
- Bibliographic description:
- Klugmann-Radziemska E., Klugmann E.: Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell// ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT. -Vol. 43., iss. 14 (2002), s.1889-1900
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 132 times