Wyszukiwarka
Abstrakt
W pracy wykazano: zależność wzrostu prądu zwarcia wskutek absorpcji dodatkowych fotonów ze wzrostem temperatury, spadek napięcia wbudowanego złącza p-n wraz ze wzrostem temperatury, wpływ temperatury na zmianę napięcia otwartego obwodu. Dodatkowo wyznaczone odpowiednie współczynniki temperaturowe porównano z wartościami wynikającymi z rozważań teoretycznych. Badano parametry elektryczne następujących elementów wykonanych z amorficznego krzemu: foto-diody BPYP 35, BPYP 30 oraz ogniw fotowoltaicznych krzemowych produkcji firmy Siemens.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT
nr 43,
wydanie 14,
strony 1889 - 1900,
ISSN: 0196-8904 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2002
- Opis bibliograficzny:
- Klugmann-Radziemska E., Klugmann E.: Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell// ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT. -Vol. 43., iss. 14 (2002), s.1889-1900
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 128 razy