Search
Abstract
Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off. dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.
Authors (5)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Published in:
-
Przegląd Elektrotechniczny
pages 1 - 6,
ISSN: 0033-2097 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2012
- Bibliographic description:
- Adamowicz M., Pietryka J., Giziewski S., Rutkowski M., Krzemiński Z.: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia // Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 4b (2012), s.1-6
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 153 times