Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
Abstract
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
Author (1)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- Ogólnopolska konferencja Naukowo-Techniczna Modelowanie, Symulacja i Zastosowania w Technice, MSiZwT 2012, Kościelisko, 18-22 czerwca 2012 strony 23 - 26
- Language:
- Polish
- Publication year:
- 2012
- Bibliographic description:
- Giziewski S.: Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego// Ogólnopolska konferencja Naukowo-Techniczna Modelowanie, Symulacja i Zastosowania w Technice, MSiZwT 2012, Kościelisko, 18-22 czerwca 2012/ ed. Wydzial Elektryczny Politechnika Warszawska. : , 2012, s.23-26
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 169 times