Filters
total: 144
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (109)
Search results for: ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (E-HEMT)
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Research Potential* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Research PotentialBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Research PotentialTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (35)
Search results for: ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (E-HEMT)
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Business OfferZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Nanomateriałów CZT
Business OfferBadanie właściwość powierzchni z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych
-
Laboratorium Fizyki Zderzeń Elektronowych
Business OfferBadania oddziaływań nisko- i średnio-energetycznych elektronów z atomami i drobinami wieloatomowymi w różnych stanach skupienia
Other results Pokaż wszystkie wyniki (908)
Search results for: ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (E-HEMT)
-
Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch
PublicationGaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...
-
Enhancement of the Magnetoresistance in the Mobility‐Engineered Compensated Metal Pt 5 P 2
PublicationThe magnetoresistance (MR) in nonmagnetic materials continues to be a fertile research area in materials science. The search for giant, positive MR has been limited to a rather small window of materials such as high-mobility semimetals in single-crystalline form. Here, the observation of a very large positive MR in metallic Pt5P2 in polycrystalline form is reported. The observations reveal that improvement of the crystallinity...
-
Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach
PublicationPraca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...
-
BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
PublicationTematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia....
-
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublicationW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...