Przedstawiono nowe podejście do poprawy charakterystyk strojenia rezystorów warstwowych typu ''kapelusza'' i typu ''U'' z cięciem prostym pośrodku struktury polegająca na wprowadzeniu zaworki przewodzącej w górnej części rezystora. Umożliwia to eliminację lokalnych przegrzewów oraz zwiększenia dokładności strojenia i wzrostu stabilności.

W pracy zaproponowano i przeanalizowano nowe podejście do projektowania i realizacji korekcji laserowej rezystorów warstwowych polegające na zastępowaniu rezystorów 2-kontaktowych strukturami 3-kontaktowymi, które następnie poddawane są korekcji. Ma to wpływ na zwiększenie zakresu korekcji i zmianę czułościowych charakterystyk strojenia.

W pracy przedstawiono i przeanalizowano nowe struktury typu ''kapelusza'' i ''U'' ze zwora przewodzącą zapewniające poprawę dokładności strojenia i wzrost stabilności rezystorów dzięki eliminacji tzw. ''gorących punktów'' występujących na końcu cięcia laserowego.