Search results for: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYC - Bridge of Knowledge

Your account

login

Search

Search results for: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYC

Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (81)

Search results for: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYC

  • Katedra Metrologii i Systemów Informacyjnych

    Research Potential

    * Diagnostyka silników elektrycznych i magnesów nadprzewodzących * Metody pomiaru impedancji zwarciowej * Zastosowania modulowanych częstotliwościowo sygnałów impulsowych * Pomiary dla diagnostyki medycznej * Ocena niepewności pomiaru * Zastosowanie grafenu do wykrywania elektronicznego

  • Zespół Metrologii i Optoelektroniki

    Research Potential

    * komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR

  • Zespół Wysokich Napięć

    Research Potential

    1. Urządzenia ograniczające prądy zwarciowe; 2. Symulacja zjawisk zachodzących w nieliniowych obwodach zwarciowych; 3. Dynamika łuku zwarciowego; 4. Mechanizmy degradacji izolacji polimerowej i złożonej; 5. Ochrona przeciwporażeniowa i przeciwprzepięciowa linii elektroenergetycznych wysokiego napięcia; 6. Jakość energii w systemach elektroenergetycznych.

Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (20)

Search results for: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYC

Other results Pokaż wszystkie wyniki (1041)

Search results for: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYC

  • Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS

    Publication

    - Year 2005

    Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...

  • Modelowanie Inżynierskie

    Journals

    ISSN: 1896-771X

  • Fizyka przyrządów półprzewodnikowych

    e-Learning Courses
    • J. Szmytkowski

    Kurs "Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2023/2024" Kierunek: Fizyka Techniczna Wydział FTiMS stopień I, semestr 5  

  • Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych

    Publication

    - Measurement Automation Monitoring - Year 2008

    Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprze-wodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produk-cji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu pro-dukcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów...

  • System do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych

    Publication

    - Year 2005

    Przedstawiono zagadnienia związane z konstrukcją systmów do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Przytoczono typowe parametry opisujące właściwości sygnałów szumowych, które mogą być stosowane do analizy szumów własnych analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Określono warunki pomiarów szumów własnych z zakresu małych częstotliwości analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Dokonano podziału systemów...