Filters
total: 137
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (105)
Search results for: CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Research PotentialBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Research Potential* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Research PotentialTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (32)
Search results for: CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE
-
Laboratorium Wysokich Napięć
Business OfferBadania układów probierczych i pomiarowych stosowanych w technice wysokiego napięcia
-
Laboratorium Diagnostyki Silników i Sprężarek Tłokowych
Business OfferIdentyfikacja stanu technicznego głównych układów funkcjonalnych silników spalinowych i sprężarek w oparciu o wyniki badań diagnostycznych.
-
Laboratorium Maszyn i Systemów Okrętowych
Business OfferBadania procesów i zjawisk w czasie realizacji obiegu roboczego w silniku z zapłonem samoczynnym dla potrzeb diagnostyki maszyn tłokowych.
Other results Pokaż wszystkie wyniki (1911)
Search results for: CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE
-
Nowa metoda kalibracji woltamperometrii stałoprądowej
PublicationW artykule omówiono no wą metodę kalibracji elektrod woltamperometrycznych opierającą się na wykorzystaniu wyłącznie jednego roztworu wzorcowego. Przedstawiono podstawy teoretyczne zaproponowanej metody oraz wyniki jej weryfikacji laboratoryjnej. Weryfikacja ta potwierdziła możliwość zastosowania zaproponowanej metody do kalibracji elektrod woltamperometrycznych w zakresie stężeń znacznie mniejszych od stężenia jonów depolaryzatora...
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublicationZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublicationZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublicationZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublicationW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.