Search results for: KONDUKTANCJA - Bridge of Knowledge

Search

Search results for: KONDUKTANCJA

Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (3)

Search results for: KONDUKTANCJA

  • Zespół Inżynierii Biomedycznej

    Inżynieria biomedyczna stanowi nową interdyscyplinarną dziedzinę wiedzy zlokalizowaną na pograniczu nauk technicznych, medycznych i biologicznych. Według opinii WHO (World Health Organization) można ją zaliczyć do głównych (obok inżynierii genetycznej) czynników decydujących o postępie współczesnej medycyny. Rosnące znaczenie kształcenia w zakresie INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ wynika z faktu, że specjaliści tej dyscypliny są potrzebni...

  • Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów

    Tematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.

  • Zespół Systemów Mikroelektronicznych

    * projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...

Other results Pokaż wszystkie wyniki (8)

Search results for: KONDUKTANCJA

  • Analysis of the grain boundary conductivity for nanocrystalline doped ceria using the brick layer model.

    Publication

    - Year 2003

    W pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznych i mikrostrukturalnych ceru domieszkowanego itrem. Gęste i nanokrystaliczne filmy przygotowane zostały z użyciem prekursorów polimerowych na szafirze. Konduktancja elektryczna była badana w funkcji temperatury syntezy, która jest skorelowana z wielkością ziaren. Otrzymano mniejszą konduktancję nanokrystalicznego filmu ceru w porównaniu z próbkami ceramicznymi.

  • Electrical conductivity of nanocrystalline Sm-doped CeO2 thin film.

    Publication

    - Year 2004

    Gęste i nanokrystaliczne filmy tlenku ceru domieszkowane 20% samarem przygotowane na szafirze oraz próbki ceramiczne zostały przygotowane z prekursorów polimerowych. Ich konduktacja elektryczna była badana w funkcji temperatury i skorelowana z wielkością krystalitów. Model blokowo-warstwowy przewiduje mniejszą konduktacje próbki gdy wielkości krystalitów są mniejsze, w przypadku gdy rezystancja obszarów międzyziarnowych jest większa...

  • Nanocrystalline undoped ceria oxygen sensor.

    Publication

    - SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL - Year 2003

    W pracy przedstawiono wyniki badań struktury i elektrycznych właściwości nanokrystalicznego czujnika na bazie niedomieszkowanego tlenku ceru. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu na rezystancję cienkowarstwowego tlenku ceru. Konduktancja tlenku ceru w zakresie stężeń tlenu od 10ppm do 100% ma charakter eksponecjalny z parametrem -0.25. Zbadano szybkość odpowiedzi oraz wpływ dwutlenku azotu oraz dwutlenku siarki na odpowiedź...

  • Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.

    Publication

    - Year 2004

    W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.

  • Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET

    Publication

    - Measurement Automation Monitoring - Year 2008

    Opracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...