Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.

Krzysztof Piskorski; Andrzej Kudła; Henryk M. Przewłocki

Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.

Abstract

W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.

Authors (3)

Krzysztof Piskorski
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Andrzej Kudła
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Henryk M. Przewłocki
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Piskorski K., Kudła A., Przewłocki H.: Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.// / : , 2004,
Verified by:: Gdańsk University of Technology