Abstract
W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
Authors (3)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language:
- Polish
- Publication year:
- 2004
- Bibliographic description:
- Piskorski K., Kudła A., Przewłocki H.: Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.// / : , 2004,
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 34 times