W pracy opisano konstrukcję modułowego spektroskopu ramanowskiego umożliwiającego monitorowanie wzrostu warstw w procesach CVD. Przedstawiono rezultaty testów skostruowanego układu oraz wstępne wyniki pomiarów warstw diamentowych.

Przeprowadzono badanie procesu technologicznego zol-żel zastosowanego do wytwarzania cienkowarstwowych materiałów optoelektronicznych. Zaproponowano efektywne konfiguracje systemów ramanowskich, które umożliwiają dokonywanie pomiarów dla różnych postaci badanego materiału.

Przedstawiono wybrane problemy diagnostyki ramanowskiej in-situ wzrostu cienkich warstw węglowych w prózniowym procesie CVD, w szczególności problemy doboru długości fali lasera oraz konstrucji głowic optycznych. Opisano system pomiarowy zrealizowany w Katedrze Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG. Przedstawiono wyniki wstępnych pomiarów oraz ich interpretację.

Przedstawiono zagadnienia monitorowania in-situ prózniowego procesu wzrostu cienkich warstw węglowych, a w szczególności diamentowych i diamentopodobnych DLC. Zastosowanie pomiarów ramanowskich umożliwia zbadanie struktury warstwy na poziomie molekularnych (zawartości faz węglowych sp2 i sp3, a także defektów wodorowych). Użycie spektroskopii in-situ podczas procesu syntezy pozwala monotorować poprawność przebiegu procesu i opracować...

Spektroskopia bliskiej podczerwieni (NIR) odgrywa coraz większą rolę w analizie ilościowej i jakościowej. Zaletami wykorzystywanej techniki NIR są: 1) nieniszczący, nieinwazyjny charakter analizy, 2) brak konieczności przygotowania próbki przed analizą, 3) prostota i szybkość wykonania rutynowej analizy, 4) wysoka czułość, 5) niski koszt, 6) uzyskanie kompleksowego obrazu badanego materiału, 7) zwiększenie bezpieczeństwa pracy...