Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

Marek Panek; Wiesław Kordalski; Mariusz Sitek

Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

Abstract

Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.

Authors (3)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne no. T. 14, pages 675 - 682,
ISSN: 1732-1166
Language:: Polish
Publication year:: 2007
Bibliographic description:: Panek M., Kordalski W., Sitek M.: Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.675-682
Verified by:: Gdańsk University of Technology