Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.

Wiesław Kordalski; Roman Rynkiewicz

Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.

Abstract

Zaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.

Authors (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Roman Rynkiewicz
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Kordalski W., Rynkiewicz R.: Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.// / : , 2004,
Verified by:: Gdańsk University of Technology