Wyszukiwarka
Abstrakt
Zaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2004
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Rynkiewicz R.: Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.// / : , 2004,
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 89 razy