Search
Abstract
Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
Authors (7)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
no. T. 16,
pages 501 - 506,
ISSN: 1732-1166 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2008
- Bibliographic description:
- Kordalski W., Damaszk L., Boratyński B., Panek M., Woźniak J., Zborowska-Lindert I., Ściana B.: Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.501-506
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 165 times
Recommended for you
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
- W. Kordalski,
- B. Boratyński,
- M. Panek
- + 5 authors
2007
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- M. Pribbenow,
- B. Boratyński
- + 4 authors
2008
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 authors
2008