Wyszukiwarka
Abstrakt
Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
Autorzy (7)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 16,
strony 501 - 506,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2008
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Damaszk L., Boratyński B., Panek M., Woźniak J., Zborowska-Lindert I., Ściana B.: Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.501-506
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 165 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
- W. Kordalski,
- B. Boratyński,
- M. Panek
- + 5 autorów
2007
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- M. Pribbenow,
- B. Boratyński
- + 4 autorów
2008
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów
2008