Metoda wytwarzania mikroczujników i elektrod elektrochemicznych przez selektywny wzrost polikrystalicznych warstw diamentowych maskowany warstwami dwutlenku krzemu
Abstract
Opisano wytwarzanie matrycy mikroelektrod wykonanych z diamentu domieszkowanego borem do zastosowań w czujnikach elektrochemicznych. Praca jest podzielona na 8 rozdziałów. W pierwszym rozdziale opisano cele i motywacje do stworzenia diamentowych matryc. Następnie opisano zalety mikroelektrod i przedstawiony aktualny stan wiedzy dotyczący syntezy polikrystalicznych diamentowych elektrod. W trzecim rozdziale przedstawiono krótki zarys historyczny syntezy diamentu i jego teoretyczne aspekty. Oprócz tego uwzględniono domieszkowanie diamentu jak i opisano mechanizmy przewodnictwa w polikrystalicznych warstwach diamentowych. Czwarty rozdział skupia się na metodach diagnostycznych do oceny jakościowej wytworzonych struktur. Przedstawiono metody do określenia morfologii powierzchni, jakości diamentu, grubość struktur i rezystywności warstw. Do określenia powyższych elementów wykorzystano analizy mikroskopem elektronowym, mikroskopem sił atomowych, sondą 4-ostrzowa i analizę elektryczną z wykorzystaniem linii transmisyjnej. Oprócz tego przedstawiono zastosowanie spektroskopii Ramana do analizy stosunku faz z hybrydyzacją orbitali sp3 i sp2 w warstwach węglowych, a także cykliczną woltamperometrię do detekcji żelazocyjanków witaminy C i paracetamolu. W rozdziałach od piątego do siódmego zaprezentowane projekt, przygotowanie materiałów, wytworzenie i analizę właściwości stworzonych matryc elektrod. W piątym rozdziale opisano różne metody zarodkowania nie-diamentowych podłoży do wzrostu diamentu. Jako najlepszą technikę do wykorzystania na podłożach z SiO2 wytypowano mieszaninę diamentu w PVA dającą zarodkowanie na poziomie 1010/cm2. W następnym rozdziale przedstawiono modyfikację przestrzenną warstw diamentowych z wykorzystaniem różnych procesów fotolitografii, trawienia i ponownego wzrostu. W rozdziale szóstym opisano projekt wytworzenia matrycy mikroelektrod jak i proces wytwarzania warstwa po warstwie. Docelowa struktura powinna się składać z 3 warstw diamentu o różnych właściwościach elektrycznych i stosunku faz sp3/sp2. Kolejne warstwy są przeznaczone na strukturę podłoża izolacyjnego, ścieżki przewodzące i elektrody elektrochemiczne. W rozdziale siódmym opisano badanie właściwości elektrycznych struktur diamentowych z wykorzystaniem linii transmisyjnej i porównano je do wartości warstw. Przeprowadzono również procesy elektrochemiczne, do określenia okna elektrochemicznego i pojemności elektrod. Przeprowadzono detekcję żelazocyjanków, witaminy C i paracetamolu.
Author (1)
Cite as
Full text
- Publication version
- Accepted or Published Version
- License
- Copyright (Author(s))
Keywords
Details
- Category:
- Thesis, nostrification
- Type:
- praca doktorska pracowników zatrudnionych w PG oraz studentów studium doktoranckiego
- Language:
- Polish
- Publication year:
- 2018
- Bibliography: test
-
- Rys. 19 Zależność współczynnika korekcyjnego f2 w zależności od rozmiarów próbki [162].
- Rys. 20 Zależność współczynnika korekcyjnego od grubości warstwy i odległości między ostrzami dla f11 podłoża izolującego f12 podłoża przewodzącego [162].
- M. Ficek. M. Sobaszek, M. Gnyba, J. Ryl, Ł. Gołuński, M. Śmietana, J. Jasiński, P. open in new tab
- Caban, R. Bogdanowicz; "Optical and electrical properties of boron doped diamond thin conductive films deposited on fused silica glass substrates", Applied Surface Science, t. 387, s. 846-856, 2016.
- M. Sobaszek, Ł. Skowroński, R. Bogdanowicz, K. Siuzdak, A. Cirocka, P. Zięba, M. Gnyba, M. Naparty, Ł. Gołuński, P. Płotka; "Optical and electrical properties of ultrathin transparent nanocrystalline boron-doped diamond electrodes", Optical Materials, t. 42, s. 24-34, kwi. 2015. open in new tab
- L. Golunski, M. Sobaszek, M. Gardas, M. Gnyba, R. Bogdanowicz, M. Ficek, P. Płotka; "Optimization of Polycrystalline CVD Diamond Seeding with the Use of sp 3 /sp 2 Raman Band Ratio", Acta Physica Polonica A, t. 128, nr 1, s. 136-140, 2015. open in new tab
- Ł. Gołuński, K. Zwolski, i P. Płotka, "Electrical Characterization of Diamond/Boron Doped Diamond Nanostructures for Use in Harsh Environment Applications", IOP open in new tab
- Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., t. 104, nr 1, s. 012022, 2016. Oprócz powyższych publikacji autor pracy przyczynił się do powstania publikacji o open in new tab
- R. Bogdanowicz, A. Fabiańska, L. Gołuński, M. Sobaszek, M. Gnyba, J. Ryl, K. open in new tab
- Darowicki, T. Ossowski, S.D. Janssens, K. Haenen, E.M. Siedlecka; "Influence of the boron doping level on the electrochemical oxidation of the azo dyes at Si/BDD thin film electrodes", Diamond and Related Materials, t. 39, s. 82-88, paź. 2013.
- R. Bogdanowicz, M. Sobaszek, J. Ryl, M. Gnyba, M. Ficek, Ł. Gołuński, J.W. Bock, M. Śmietana, K. Darowicki; "Improved surface coverage of an optical fibre with nanocrystalline diamond by the application of dip-coating seeding", Diamond and Related Materials, t. 55, s. 52-63, 2015. open in new tab
- R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, M. Ficek, V. Stranak, Ł. Gołuński, M. Sobaszek, J.Ryl; "Nucleation and growth of CVD diamond on fused silica optical fibres with titanium dioxide interlayer", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 1991- 1997, paź. 2013. open in new tab
- R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, J. Ryl, i M. Gardas, "Optical and structural properties of polycrystalline CVD diamond films grown on fused silica optical fibres pre-treated by high-power sonication seeding", Applied Physics A, t. 116, nr 4, s. 1927-1937, 2014. open in new tab
- R. Bogdanowicz, L. Golunski, i M. Sobaszek, "Spatial characterization of H2: CH4 dissociation level in microwave ECR plasma source by fibre-optic OES", The European Physical Journal Special Topics, t. 222, nr 9, s. 2223-2232, 2013. open in new tab
- K. Paprock, K. Fabisiak, R, Bogdanowicz, Ł. Gołuński, E. Staryga, M. Szybowicz, M. Kowalska, A. Banaszak., "Charge-based deep level transient spectroscopy of B- doped and undoped polycrystalline diamond films", Journal of Materials Science, t. 52, nr 17, s. 10119-10126, 2017. Literatura: open in new tab
- M. Krammer i in., "CVD diamond sensors for charged particle detection", Diamond and Related Materials, t. 10, nr 9, s. 1778-1782, wrz. 2001.
- G. Mazzeo, S. Salvatori, M. C. Rossi, G. Conte, i M.-C. Castex, "Deep UV pulsed laser monitoring by CVD diamond sensors", Sensors and Actuators A: Physical, t. 113, nr 3, s. 277-281, sie. 2004. open in new tab
- J. de Sanoit, E. Vanhove, P. Mailley, i P. Bergonzo, "Electrochemical diamond sensors for TNT detection in water", Electrochimica Acta, t. 54, nr 24, s. 5688-5693, paź. 2009. open in new tab
- W. Adam i in., "Performance of irradiated CVD diamond micro-strip sensors", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, t. 476, nr 3, s. 706-712, sty. 2002. open in new tab
- I. Taher, M. Aslam, M. A. Tamor, T. J. Potter, i R. C. Elder, "Piezoresistive microsensors using p-type CVD diamond films", Sensors and Actuators A: Physical, t. 45, nr 1, s. 35-43, paź. open in new tab
- K. E. Spear, J. P. Dismukes, i E. Society, Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology. John Wiley & Sons, 1994.
- A. M. Zaitsev, Optical Properties of Diamond: A Data Handbook. Springer Science & Business Media, 2013. open in new tab
- J. E. Butler i A. Sumant, "Butler Sumant nanodiamond review", sty. 2013. open in new tab
- M. W. Geis, J. C. Twichell, i T. M. Lyszczarz, "Diamond emitters fabrication and theory", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, t. 14, nr 3, s. 2060-2067, maj 1996. open in new tab
- H. Liu i D. S. Dandy, "Studies on nucleation process in diamond CVD: an overview of recent developments", Diamond and Related Materials, t. 4, nr 10, s. 1173-1188, wrz. 1995. open in new tab
- J. Asmussen i D. Reinhard, Diamond Films Handbook. CRC Press, 2002. open in new tab
- W. P. Kang i in., "Diamond and carbon-derived vacuum micro-and nano-electronic devices", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 3-7, s. 685-691.
- S. P. Gimenez, "Diamond MOSFET: An innovative layout to improve performance of ICs", Solid-State Electronics, t. 54, nr 12, s. 1690-1696, grudz. 2010. open in new tab
- W. P. Kang, J. L. Davidson, Y. M. Wong, i K. Holmes, "Diamond vacuum field emission devices", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 975-981, kwi. 2004. open in new tab
- A. Aleksov i in., "Diamond field effect transistors-concepts and challenges", Diamond and Related Materials, t. 12, nr 3, s. 391-398, mar. 2003.
- A. Kovalenko i in., "Diamond-based electrodes for organic photovoltaic devices", Solar Energy Materials and Solar Cells, t. 134, s. 73-79, mar. 2015.
- M. Liao, Y. Koide, i J. Alvarez, "Photovoltaic Schottky ultraviolet detectors fabricated on boron-doped homoepitaxial diamond layer", Appl. Phys. Lett., t. 88, nr 3, s. 033504, sty. 2006. open in new tab
- Z. Q. Ma i B. X. Liu, "Boron-doped diamond-like amorphous carbon as photovoltaic films in solar cell", Solar Energy Materials and Solar Cells, t. 69, nr 4, s. 339-344, lis. 2001. open in new tab
- A. Qureshi, W. P. Kang, J. L. Davidson, i Y. Gurbuz, "Review on carbon-derived, solid- state, micro and nano sensors for electrochemical sensing applications", Diamond and Related Materials, t. 18, s. 1401-1420, grudz. 2009. open in new tab
- A. Fabiańska i in., "Electrochemical oxidation of sulphamerazine at boron-doped diamond electrodes: Influence of boron concentration", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 2040-2047, paź.
- R. Bogdanowicz i in., "Amperometric sensing of chemical oxygen demand at glassy carbon and silicon electrodes modified with boron-doped diamond", Sensors and Actuators B Chemical, t. 189, sty. 2012. open in new tab
- J. P. Sullivan, T. A. Friedmann, i K. Hjort, "Diamond and Amorphous Carbon MEMS", MRS open in new tab
- Bulletin, t. 26, nr 4, s. 309-311, kwi. 2001. open in new tab
- J. K. Luo, Y. Q. Fu, H. R. Le, J. A. Williams, S. M. Spearing, i W. I. Milne, "Diamond and diamond-like carbon MEMS", J. Micromech. Microeng., t. 17, nr 7, s. S147, 2007. open in new tab
- J. Hees i in., "Piezoelectric actuated micro-resonators based on the growth of diamond on aluminum nitride thin films", Nanotechnology, t. 24, nr 2, s. 025601, 2013.
- M. W. Varney, D. M. Aslam, A. Janoudi, H.-Y. Chan, i D. H. Wang, "Polycrystalline- open in new tab
- Diamond MEMS Biosensors Including Neural Microelectrode-Arrays", Biosensors, t. 1, nr 3, s. 118- 133, sie. 2011. open in new tab
- P. H. Chen, C. L. Lin, Y. K. Liu, T. Y. Chung, i C. Y. Liu, "Diamond Heat Spreader Layer for High-Power Thin-GaN Light-Emitting Diodes", IEEE Photonics Technology Letters, t. 20, nr 10, s. 845-847, maj 2008. open in new tab
- J. Ryl, L. Burczyk, R. Bogdanowicz, M. Sobaszek, i K. Darowicki, "Study on surface technique", Carbon, t. 96, s. 1093-1105, sty. 2016. open in new tab
- W. Gajewski i in., "Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films", Phys. Rev. B, t. 79, nr 4, s. 045206, sty. 2009.
- S. Matsumoto, "Development of diamond synthesis techniques at low pressures", Thin Solid Films, t. 368, nr 2, s. 231-236, cze. 2000. open in new tab
- R. Bogdanowicz i in., "Nucleation and growth of CVD diamond on fused silica optical fibres with titanium dioxide interlayer", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 1991-1997, paź. 2013. open in new tab
- M. R. Werner i W. R. Fahrner, "Review on materials, microsensors, systems and devices for high-temperature and harsh-environment applications", IEEE Transactions on Industrial Electronics, t. 48, nr 2, s. 249-257, kwi. 2001. open in new tab
- Y. Fu, H. Du, J. Miao, i Y. Liu, "Patterning of diamond microstructures on Si substrate by bulk and surface micromachining", zaprezentowano na Micromachining and Microfabrication, 2000, t. 4230, s. 164-170. open in new tab
- D. B. Seley i in., "Electroplate and Lift Lithography for Patterned Micro/Nanowires Using Ultrananocrystalline Diamond (UNCD) as a Reusable Template", ACS Appl Mater Interfaces, t. 3, nr 4, s. 925-930, kwi. 2011.
- G. F. Ding, H. P. Mao, Y. L. Cai, Y. H. Zhang, X. Yao, i X. L. Zhao, "Micromachining of CVD diamond by RIE for MEMS applications", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 9, s. 1543- 1548, wrz. 2005. open in new tab
- Z. Shpilman i in., "Oxidation and Etching of CVD Diamond by Thermal and Hyperthermal Atomic Oxygen", The Journal of Physical Chemistry C, t. 114, nr 44, s. 18996-19003, lis. 2010.
- J. K. Park, V. M. Ayres, J. Asmussen, i K. Mukherjee, "Precision micromachining of CVD diamond films", Diamond and Related Materials, t. 9, nr 3, s. 1154-1158, kwi. 2000. open in new tab
- A. Stanishevsky, "Patterning of diamond and amorphous carbon films using focused ion beams", Thin Solid Films, t. 398-399, s. 560-565, lis. 2001. open in new tab
- X. D. Wang, G. D. Hong, J. Zhang, B. L. Lin, H. Q. Gong, i W. Y. Wang, "Precise patterning of diamond films for MEMS application", Journal of Materials Processing Technology, t. 127, nr 2, s. 230-233, wrz. 2002. open in new tab
- X. Jiang, E. Boettger, M. Paul, i C. -P. Klages, "Approach of selective nucleation and epitaxy of diamond films on Si(100)", Appl. Phys. Lett., t. 65, nr 12, s. 1519-1521, wrz. 1994. open in new tab
- S.-K. Lee, J.-H. Kim, M.-G. Jeong, M.-J. Song, i D.-S. Lim, "Direct deposition of patterned nanocrystalline CVD diamond using an electrostatic self-assembly method with nanodiamond particles", Nanotechnology, t. 21, nr 50, s. 505302, 2010. open in new tab
- J. S. Ma i in., "Selective nucleation and growth of diamond particles by plasma-assisted chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 55, nr 11, s. 1071-1073, wrz. 1989.
- P. A. Dennig, H. Shiomi, D. A. Stevenson, i N. M. Johnson, "Influence of substrate treatments on diamond thin film nucleation", Thin Solid Films, t. 212, nr 1, s. 63-67, maj 1992. open in new tab
- W. P. Kang i in., "Micropatterned polycrystalline diamond field emitter vacuum diode arrays", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, t. 14, nr 3, s. 2068-2071, maj 1996.
- R. Ramesham, "Fabrication of diamond microstructures for microelectromechanical systems (MEMS) by a surface micromachining process", Thin Solid Films, t. 340, nr 1, s. 1-6, luty 1999. open in new tab
- H. Zhuang, B. Song, T. Staedler, i X. Jiang, "Microcontact Printing of Monodiamond Nanoparticles: An Effective Route to Patterned Diamond Structure Fabrication", Langmuir, t. 27, nr 19, s. 11981-11989, paź. 2011. open in new tab
- A. C. Taylor, R. Edgington, i R. B. Jackman, "Patterning of nanodiamond tracks and nanocrystalline diamond films using a micropipette for additive direct-write processing", ACS applied materials & interfaces, t. 7, nr 12, s. 6490-6495, 2015. open in new tab
- J. Nishizawa, P. Plotka, i T. Kurabayashi, "Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors: nano-devices for THz electronics", IEEE Transactions on Electron Devices, t. 49, nr 7, s. 1102-1111, lip. 2002. open in new tab
- J. Nishizawa, P. Płotka, i T. Kurabayashi, "GaAs area-selective regrowth with molecular layer epitaxy for integration of low noise and power transistors, and Schottky diodes", Phys. Status Solidi (c), t. 5, nr 9, s. 2799-2801, lip. 2008. open in new tab
- J. Nishizawa, Y. Oyama, P. Plotka, i H. Sakuraba, "Optimization of low temperature surface treatment of GaAs crystal", Surface Science, t. 348, nr 1, s. 105-114, mar. 1996. open in new tab
- I. Aharonovich i in., "Homoepitaxial Growth of Single Crystal Diamond Membranes for Quantum Information Processing", Adv. Mater., t. 24, nr 10, s. OP54-OP59, mar. 2012. open in new tab
- R. Müller, P. Schmid, A. Munding, R. Gronmaier, i E. Kohn, "Elements for surface microfluidics in diamond", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 780-784, kwi. 2004. open in new tab
- B. C. Lourenção, R. A. Medeiros, R. C. Rocha-Filho, L. H. Mazo, i O. Fatibello-Filho, "Simultaneous voltammetric determination of paracetamol and caffeine in pharmaceutical formulations using a boron-doped diamond electrode", Talanta, t. 78, nr 3, s. 748-752, maj 2009. open in new tab
- C. Radovan, C. Cofan, i D. Cinghita, "Simultaneous Determination of Acetaminophen and open in new tab
- Ascorbic Acid at an Unmodified Boron-Doped Diamond Electrode by Differential Pulse Voltammetry in Buffered Media", Electroanalysis, t. 20, nr 12, s. 1346-1353. open in new tab
- E. A. McGaw i G. M. Swain, "A comparison of boron-doped diamond thin-film and Hg- media", Analytica Chimica Acta, t. 575, nr 2, s. 180-189, sie. 2006. open in new tab
- E. Popa, H. Notsu, T. Miwa, D. A. Tryk, i A. Fujishima, "Selective electrochemical detection of dopamine in the presence of ascorbic acid at anodized diamond thin film electrodes", Electrochemical and solid-state letters, t. 2, nr 1, s. 49-51, 1999. open in new tab
- A. E. Cohen i R. R. Kunz, "Large-area interdigitated array microelectrodes for electrochemical sensing", Sensors and Actuators B: Chemical, t. 62, nr 1, s. 23-29, 2000. open in new tab
- A. E. Hess, D. M. Sabens, H. B. Martin, i C. A. Zorman, "Diamond-on-Polymer open in new tab
- Microelectrode Arrays Fabricated Using a Chemical Release Transfer Process", Journal of Microelectromechanical Systems, t. 20, nr 4, s. 867-875, sie. 2011. open in new tab
- V. Carabelli i in., "Planar diamond-based multiarrays to monitor neurotransmitter release and action potential firing: new perspectives in cellular neuroscience", ACS chemical neuroscience, t. 8, nr 2, s. 252-264, 2017.
- T. Hayasaka i in., "Integration of boron-doped diamond microelectrode on CMOS-based amperometric sensor array by film transfer technology", Journal of Microelectromechanical Systems, t. 24, nr 4, s. 958-967, 2015.
- T. Watanabe i in., "Fabrication of a microfluidic device with boron-doped diamond electrodes for electrochemical analysis", Electrochimica Acta, t. 197, s. 159-166, 2016.
- M. Ensch i in., "Isatin Detection Using a Boron-Doped Diamond 3-in-1 Sensing Platform", Analytical chemistry, t. 90, nr 3, s. 1951-1958, 2018. open in new tab
- M. B. Joseph i in., "Fabrication route for the production of coplanar, diamond insulated, boron doped diamond macro-and microelectrodes of any geometry", Analytical chemistry, t. 86, nr 11, s. 5238-5244, 2014.
- C. A. Rusinek, M. F. Becker, R. Rechenberg, i T. Schuelke, "Fabrication and characterization of boron doped diamond microelectrode arrays of varied geometry", Electrochemistry Communications, t. 73, s. 10-14, 2016. open in new tab
- I. Montenegro, M. A. Queirós, i J. L. Daschbach, Red., Microelectrodes: Theory and Applications. Springer Netherlands, 1991. open in new tab
- X.-J. Huang, A. M. O'Mahony, i R. G. Compton, "Microelectrode arrays for electrochemistry: approaches to fabrication", Small, t. 5, nr 7, s. 776-788, 2009. open in new tab
- Z.-W. Fan i L.-W. Hourng, "The analysis and investigation on the microelectrode fabrication by electrochemical machining", International Journal of Machine Tools and Manufacture, t. 49, nr 7-8, s. 659-666, 2009.
- J. J. Burmeister, K. Moxon, i G. A. Gerhardt, "Ceramic-based multisite microelectrodes for electrochemical recordings", Analytical chemistry, t. 72, nr 1, s. 187-192, 2000. open in new tab
- H. Yang, M. T. Rahman, D. Du, R. Panat, i Y. Lin, "3-D printed adjustable microelectrode arrays for electrochemical sensing and biosensing", Sensors and Actuators B: Chemical, t. 230, s. 600-606, 2016. open in new tab
- B. Ghane-Motlagh i M. Sawan, "Design and implementation challenges of microelectrode arrays: a review", Materials Sciences and Applications, t. 4, nr 08, s. 483, 2013. open in new tab
- F. A. Aguiar, A. J. Gallant, M. C. Rosamond, A. Rhodes, D. Wood, i R. Kataky, "Conical recessed gold microelectrode arrays produced during photolithographic methods: Characterisation and causes", Electrochemistry communications, t. 9, nr 5, s. 879-885, 2007. open in new tab
- M. Yang, F. Qu, Y. Li, Y. He, G. Shen, i R. Yu, "Direct electrochemistry of hemoglobin in gold nanowire array", Biosensors and Bioelectronics, t. 23, nr 3, s. 414-420, 2007. open in new tab
- J. Liu i in., "Carbon-decorated ZnO nanowire array: a novel platform for direct electrochemistry of enzymes and biosensing applications", Electrochemistry Communications, t. 11, nr 1, s. 202-205, 2009.
- C. Mu, Q. Zhao, D. Xu, Q. Zhuang, i Y. Shao, "Silicon nanotube array/gold electrode for direct electrochemistry of cytochrome c", The Journal of Physical Chemistry B, t. 111, nr 6, s. 1491- 1495, 2007. open in new tab
- M. Wang, Z. Bao, X. Wang, i X. Xu, "Fabrication of disk microelectrode arrays and their application to micro-hole drilling using electrochemical micromachining", Precision Engineering, t. 46, s. 184-192, 2016. open in new tab
- L. Yang, Y. Li, i G. F. Erf, "Interdigitated Array Microelectrode-Based Electrochemical open in new tab
- Impedance Immunosensor for Detection of Escherichia c oli O157: H7", Analytical chemistry, t. 76, nr 4, s. 1107-1113, 2004. open in new tab
- Y. Li i in., "A method for patterning multiple types of cells by using electrochemical desorption of self-assembled monolayers within microfluidic channels", Angewandte Chemie International Edition, t. 46, nr 7, s. 1094-1096, 2007.
- G. Wittstock, B. Gründig, B. Strehlitz, i K. Zimmer, "Evaluation of microelectrode arrays for amperometric detection by scanning electrochemical microscopy", Electroanalysis: An International Journal Devoted to Fundamental and Practical Aspects of Electroanalysis, t. 10, nr 8, s. 526-531, 1998. open in new tab
- B. Fan, Y. Zhu, R. Rechenberg, C. A. Rusinek, M. F. Becker, i W. Li, "Large-scale, all polycrystalline diamond structures transferred onto flexible Parylene-C films for neurotransmitter sensing", Lab on a Chip, t. 17, nr 18, s. 3159-3167, 2017. open in new tab
- T. Kolber, K. Piplits, R. Haubner, i H. Hutter, "Quantitative investigation of boron incorporation in polycrystalline CVD diamond films by SIMS", Fresenius J Anal Chem, t. 365, nr 8, s. 636-641, grudz. 1999. open in new tab
- H. Spicka i in., "Investigations of the incorporation of B, P and N into CVD-diamond films by secondary ion mass spectrometry", Diamond and Related Materials, t. 5, nr 3, s. 383-387, kwi.
- G. F. Cardinale i C. J. Robinson, "Fracture strength measurement of filament assisted CVD polycrystalline diamond films", Journal of Materials Research, t. 7, nr 6, s. 1432-1437, cze. 1992. open in new tab
- F. Rossini i R. Jessup, "Heat and free energy of formation of carbon dioxide, and of transition between graphite and diamond", Journal of research of the National Bureau of Standards, nr 21, s. 491-512, paź. 1938. open in new tab
- F. P. Bundy, "The P, T phase and reaction diagram for elemental carbon, 1979", J. Geophys. open in new tab
- Res., t. 85, nr B12, s. 6930-6936, grudz. 1980.
- F. P. Bundy, H. T. Hall, H. M. Strong, i R. H. W. Jun, "Man-Made Diamonds", Nature, t. 176, nr 4471, s. 51-55, lip. 1955. open in new tab
- P. S. DeCarli i J. C. Jamieson, "Formation of Diamond by Explosive Shock", Science, t. 133, nr 3467, s. 1821-1822, cze. 1961. open in new tab
- B. J. Alder i R. H. Christian, "Behavior of Strongly Shocked Carbon", Phys. Rev. Lett., t. 7, nr 10, s. 367-369, lis. 1961.
- W. G. Eversole, "Synthesis of diamond", US3030188A, 24-lis-1961.
- J. C. Angus, H. A. Will, i W. S. Stanko, "Growth of Diamond Seed Crystals by Vapor Deposition", Journal of Applied Physics, t. 39, s. 2915-2922, maj 1968. open in new tab
- B. V. Deryagin i D. V. Fedoseev, "Epitaxial Synthesis of Diamond in the Metastable Region", Russian Chemical Reviews, t. 39, nr 9, s. 783-788, wrz. 1970. open in new tab
- B. V. Derjaguin i D. B. Fedoseev, "The Synthesis of Diamond at Low Pressure", Scientific open in new tab
- American, t. 233, nr 5, s. 102-109, 1975.
- B. V. Spitsyn, L. L. Bouilov, i B. V. Derjaguin, "Vapor growth of diamond on diamond and other surfaces", Journal of Crystal Growth, t. 52, s. 219-226, kwi. 1981. open in new tab
- J. Isberg i in., "High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond", Science, t. 297, nr 5587, s. 1670-1672, wrz. 2002.
- F. P. Bundy, "Pressure-temperature phase diagram of elemental carbon", Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, t. 156, nr 1, s. 169-178, mar. 1989. open in new tab
- G. W. Yang, "Laser ablation in liquids: Applications in the synthesis of nanocrystals", Progress in Materials Science, t. 52, nr 4, s. 648-698, maj 2007. open in new tab
- G.-W. Yang, J.-B. Wang, i Q.-X. Liu, "Preparation of nano-crystalline diamonds using pulsed laser induced reactive quenching", J. Phys.: Condens. Matter, t. 10, nr 35, s. 7923, 1998. open in new tab
- "«Ogólnopolski Katalog Szkolnictwa», podręczniki online". [Online]. Dostępne na: https://www.szkolnictwo.pl/szukaj,/szukaj,grafit. [Udostępniono: 04-lip-2018].
- M. Frenklach i K. E. Spear, "Growth mechanism of vapor-deposited diamond", Journal of Materials Research, t. 3, nr 1, s. 133-140, luty 1988. open in new tab
- S. W. Reeve i W. A. Weimer, "Plasma diagnostics of a direct-current arcjet diamond reactor. open in new tab
- II. Optical emission spectroscopy", Journal of Vacuum Science & Technology A, t. 13, nr 2, s. 359- 367, mar. 1995. open in new tab
- A. Gicquel i in., "Spectroscopic analysis and chemical kinetics modeling of a diamond deposition plasma reactor", Diamond and Related Materials, t. 3, nr 4, s. 581-586, kwi. 1994.
- M. N. R. Ashfold i in., "Unravelling aspects of the gas phase chemistry involved in diamond chemical vapour deposition", Phys. Chem. Chem. Phys., t. 3, nr 17, s. 3471-3485, sty. 2001.
- P. W. May i Y. A. Mankelevich, "From Ultrananocrystalline Diamond to Single Crystal Diamond Growth in Hot Filament and Microwave Plasma-Enhanced CVD Reactors: a Unified Model for Growth Rates and Grain Sizes", J. Phys. Chem. C, t. 112, nr 32, s. 12432-12441, sie. open in new tab
- P. W. May, "The New Diamond Age?", Science, t. 319, nr 5869, s. 1490-1491, mar. 2008. open in new tab
- D. R. Lide, G. Baysinger, S. Chemistry, L. I. Berger, R. N. Goldberg, i H. V. Kehiaian, "CRC Handbook of Chemistry and Physics", s. 2660. open in new tab
- R. Bogdanowicz, "Optoelektroniczny monitoring stanu wzbudzenia plazmy niskotemperaturowej w procesach syntezy optycznych warstw diamentopodobnych", 2009.
- S. Matsumoto, Y. Sato, M. Tsutsumi, i N. Setaka, "Growth of diamond particles from methane-hydrogen gas", J Mater Sci, t. 17, nr 11, s. 3106-3112, lis. 1982. open in new tab
- M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, i N. Setaka, "Diamond synthesis from gas phase in microwave plasma", Journal of Crystal Growth, t. 62, nr 3, s. 642-644, sie. 1983. open in new tab
- K. Sugiyama, K. Kiyokawa, H. Matsuoka, A. Itou, K. Hasegawa, i K. Tsutsumi, "Generation of non-equilibrium plasma at atmospheric pressure and application for chemical process", Thin Solid Films, t. 316, nr 1, s. 117-122, mar. 1998. open in new tab
- J. Wang, Analytical Electrochemistry. John Wiley & Sons, 2006.
- E. Brillas i C. A. Martinez-Huitle, Synthetic Diamond Films: Preparation, Electrochemistry, Characterization, and Applications. John Wiley & Sons, 2011. open in new tab
- A. Netto i M. Frenklach, "Kinetic Monte Carlo simulations of CVD diamond growth- Interlay among growth, etching, and migration", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 10, s. 1630-1646, paź. 2005. open in new tab
- Y. A. Mankelevich i P. W. May, "New insights into the mechanism of CVD diamond growth: Single crystal diamond in MW PECVD reactors", Diamond and Related Materials, t. 17, nr 7, s. 1021-1028, lip. 2008. open in new tab
- Y. Lifshitz i in., "The Mechanism of Diamond Nucleation from Energetic Species", Science, t. 297, nr 5586, s. 1531-1533, sie. 2002.
- M. A. Prelas, G. Popovici, i L. K. Bigelow, Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films. CRC Press, 1997. open in new tab
- A. C. Ferrari i J. Robertson, "Raman spectroscopy of amorphous, nanostructured, diamond- like carbon, and nanodiamond", Philosophical Transactions of the Royal Society of London A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, t. 362, nr 1824, s. 2477-2512, 2004. open in new tab
- P. K. Bachmann, D. Leers, i H. Lydtin, "Towards a general concept of diamond chemical vapour deposition", Diamond and Related Materials, t. 1, nr 1, s. 1-12, 1991. open in new tab
- S.-T. Lee, Z. Lin, i X. Jiang, "CVD diamond films: nucleation and growth", Materials Science and Engineering: R: Reports, t. 25, nr 4, s. 123-154, 1999. open in new tab
- L. Golunskia i in., "Optimization of Polycrystalline CVD Diamond Seeding with the Use of sp3/sp2 Raman Band Ratio", Acta Physica Polonica A, t. 128, nr 1, s. 136-140, 2015.
- R. Bogdanowicz i in., "Influence of the boron doping level on the electrochemical oxidation of the azo dyes at Si/BDD thin film electrodes", Diamond and Related Materials, t. 39, s. 82-88, paź. 2013. open in new tab
- D. Wu i in., "Optical properties of boron-doped diamond", Phys. Rev. B, t. 73, nr 1, s. 012501, sty. 2006.
- R. G. Farrer, "On the substitutional nitrogen donor in diamond", Solid State Communications, t. 7, nr 9, s. 685-688, maj 1969. open in new tab
- J. Birrell, J. E. Gerbi, O. Auciello, J. M. Gibson, D. M. Gruen, i J. A. Carlisle, "Bonding structure in nitrogen doped ultrananocrystalline diamond", Journal of Applied Physics, t. 93, nr 9, s. 5606-5612, kwi. 2003. open in new tab
- S. Koizumi, T. Teraji, i H. Kanda, "Phosphorus-doped chemical vapor deposition of diamond", Diamond and Related Materials, t. 9, nr 3, s. 935-940, kwi. 2000. open in new tab
- M. Hasegawa, T. Teraji, i S. Koizumi, "Lattice location of phosphorus in n-type homoepitaxial diamond films grown by chemical-vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 79, nr 19, s. 3068-3070, paź. 2001. open in new tab
- E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, i M. Nesládek, "Electronic States of Boron and Phosphorus in Diamond", phys. stat. sol. (a), t. 174, nr 1, s. 39-51, lip. 1999. open in new tab
- S. Koizumi i in., "Growth and characterization of phosphorus doped n-type diamond thin films", Diamond and Related Materials, t. 7, nr 2, s. 540-544, luty 1998.
- P. Serp i B. Machado, Nanostructured Carbon Materials for Catalysis. Royal Society of Chemistry, 2015. open in new tab
- X. Wu i L. R. Radovic, "Ab Initio Molecular Orbital Study on the Electronic Structures and Reactivity of Boron-Substituted Carbon", J. Phys. Chem. A, t. 108, nr 42, s. 9180-9187, paź. 2004. open in new tab
- J. H. T. Luong, K. B. Male, i J. D. Glennon, "Boron-doped diamond electrode: synthesis, characterization, functionalization and analytical applications", Analyst, t. 134, nr 10, s. 1965-1979, wrz. 2009. open in new tab
- J. Mort i in., "Boron doping of diamond thin films", Applied Physics Letters, t. 55, nr 11, s. 1121-1123, lip. 1989.
- M. Sobaszek i in., "Optical and electrical properties of ultrathin transparent nanocrystalline boron-doped diamond electrodes", Optical Materials, t. 42, s. 24-34, kwi. 2015.
- A. T. Collins i A. W. S. Williams, "The nature of the acceptor centre in semiconducting diamond", J. Phys. C: Solid State Phys., t. 4, nr 13, s. 1789, 1971. open in new tab
- M. Hata, M. Tsuda, N. Fujii, i S. Oikawa, "Surface migration enhancement of adatoms in the photoexcited process on reconstructed diamond (001) surfaces", Applied Surface Science, t. 79- 80, s. 255-263, maj 1994. open in new tab
- P. Wurzinger, P. Pongratz, P. Hartmann, R. Haubner, i B. Lux, "Investigation of the boron incorporation in polycrystalline CVD diamond films by TEM, EELS and Raman spectroscopy", Diamond and Related Materials, t. 6, nr 5, s. 763-768, kwi. 1997. open in new tab
- J. C. Angus, Y. V. Pleskov, i S. C. Eaton, "Electrochemistry of diamond", w Semiconductors and semimetals, t. 77, Elsevier, 2004, s. 97-119. open in new tab
- X. H. Wang i in., "Effects of boron doping on the surface morphology and structural imperfections of diamond films", Diamond and Related Materials, t. 1, nr 7, s. 828-835, 1992.
- P. Hartmann i in., "Diamond growth with boron addition", International Journal of Refractory Metals and Hard Materials, t. 16, nr 3, s. 223-232, sty. 1998.
- Y. Muto, T. Sugino, J. Shirafuji, i K. Kobashi, "Electrical conduction in undoped diamond films prepared by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 59, nr 7, s. 843-845, sie. 1991. open in new tab
- S. Bhattacharyya i in., "Synthesis and characterization of highly-conducting nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films", Appl. Phys. Lett., t. 79, nr 10, s. 1441-1443, sie. 2001. open in new tab
- N. Dwivedi, S. Kumar, H. K. Malik, Govind, C. M. S. Rauthan, i O. S. Panwar, "Correlation of sp3 and sp2 fraction of carbon with electrical, optical and nano-mechanical properties of argon- diluted diamond-like carbon films", Applied Surface Science, t. 257, nr 15, s. 6804-6810, maj 2011. open in new tab
- J. Bardeen, "Surface States and Rectification at a Metal Semi-Conductor Contact", Phys. Rev., t. 71, nr 10, s. 717-727, maj 1947. open in new tab
- S. M. Sze i K. K. Ng, Physics of semiconductor devices. John wiley & sons, 2006. open in new tab
- C. Toma, "Nanoscale characterization and modification of the electronic properties of hydrogen terminated diamond surfaces.", 2008.
- F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, i D. E. Eastman, "Quantum photoyield of diamond (111)-A stable negative-affinity emitter", Physical Review B, t. 20, nr 2, s. 624, 1979. open in new tab
- R. S. Sussmann, CVD diamond for electronic devices and sensors, t. 26. John Wiley & Sons, 2009.
- Y. Mori, H. Kawarada, i A. Hiraki, "Properties of metal/diamond interfaces and effects of oxygen adsorbed onto diamond surface", Appl. Phys. Lett., t. 58, nr 9, s. 940-941, mar. 1991. open in new tab
- M. Itoh i H. Kawarada, "Fabrication and characterization of metal-semiconductor field- effect transistor utilizing diamond surface-conductive layer", Japanese journal of applied physics, t. 34, nr 9R, s. 4677, 1995. open in new tab
- T. Tachibana, B. E. Williams, i J. T. Glass, "Correlation of the electrical properties of metal contacts on diamond films with the chemical nature of the metal-diamond interface. II. Titanium contacts: A carbide-forming metal", Physical Review B, t. 45, nr 20, s. 11975, 1992. open in new tab
- I. Barshack i in., "A Novel Method for "Wet" SEM", Ultrastructural Pathology, t. 28, nr 1, s. 29-31, sty. 2004.
- X. Z. Liao, R. J. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, i Y. W. Lam, "The influence of boron doping on the structure and characteristics of diamond thin films", Diamond and Related Materials, t. 6, nr 2, s. 521-525, mar. 1997. open in new tab
- A. Aina, "In situ monitoring of pharmaceutical crystallisation", lip. 2012. open in new tab
- D. S. Knight i W. B. White, "Characterization of diamond films by Raman spectroscopy", Journal of Materials Research, t. 4, nr 2, s. 385-393, kwi. 1989. open in new tab
- M. Bernard, C. Baron, i A. Deneuville, "About the origin of the low wave number structures of the Raman spectra of heavily boron doped diamond films", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 896-899, kwi. 2004. open in new tab
- J. W. Ager, W. Walukiewicz, M. McCluskey, M. A. Plano, i M. I. Landstrass, "Fano interference of the Raman phonon in heavily boron-doped diamond films grown by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 66, nr 5, s. 616-618, sty. 1995. open in new tab
- P. W. May, W. J. Ludlow, M. Hannaway, P. J. Heard, J. A. Smith, i K. N. Rosser, "Raman and conductivity studies of boron-doped microcrystalline diamond, facetted nanocrystalline diamond and cauliflower diamond films", Diamond and Related Materials, t. 17, nr 2, s. 105-117, luty 2008. open in new tab
- F. C. Tai, S. C. Lee, J. Chen, C. Wei, i S. H. Chang, "Multipeak fitting analysis of Raman spectra on DLCH film", Journal of Raman Spectroscopy, t. 40, nr 8, s. 1055-1059, sie. 2009. open in new tab
- R. E. Shroder, R. J. Nemanich, i J. T. Glass, "Analysis of the composite structures in diamond thin films by Raman spectroscopy", Physical Review B, t. 41, nr 6, s. 3738, 1990. open in new tab
- J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori, H. Ehrhardt, i S. R. P. Silva, "Raman spectroscopy on amorphous carbon films", Journal of Applied Physics, t. 80, nr 1, s. 440-447, 1996. open in new tab
- R. J. Nemanich, J. T. Glass, G. Lucovsky, i R. E. Shroder, "Raman scattering characterization of carbon bonding in diamond and diamondlike thin films", Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, t. 6, nr 3, s. 1783-1787, 1988. open in new tab
- N. Ali i in., "Optimisation of the new time-modulated CVD process using the Taguchi method", Thin Solid Films, t. 469-470, s. 154-160, grudz. 2004.
- A. Mallik i in., "Characterizations of microwave plasma CVD grown polycrystalline diamond coatings for advanced technological applications", Processing and Application of Ceramics, t. 8, nr 2, s. 69-80, 2014.
- F. M. Smits, "Measurement of sheet resistivities with the four-point probe", Bell Labs Technical Journal, t. 37, nr 3, s. 711-718, 1958. open in new tab
- Finite-Size Corrections for 4-Point Probe Measurements". [Online]. open in new tab
- A. Shimamoto, K. Yamashita, H. Inoue, S. Yang, M. Iwata, i N. Ike, "A Nondestructive Evaluation Method: Measuring the Fixed Strength of Spot-Welded Joint Points by Surface Electrical Resistivity", J. Pressure Vessel Technol, t. 135, nr 2, s. 021501-021501-7, mar. 2013. open in new tab
- D. K. Schroder, Semiconductor material and device characterization. John Wiley & Sons, 2006. open in new tab
- G. M. Swain, "The use of CVD diamond thin films in electrochemical systems", Adv. Mater., t. 6, nr 5, s. 388-392, maj 1994. open in new tab
- G. M. Swain i R. Ramesham, "The electrochemical activity of boron-doped polycrystalline diamond thin film electrodes", Anal. Chem., t. 65, nr 4, s. 345-351, luty 1993.
- J. Iniesta, P. A. Michaud, M. Panizza, G. Cerisola, A. Aldaz, i C. Comninellis, "Electrochemical oxidation of phenol at boron-doped diamond electrode", Electrochimica Acta, t. 46, nr 23, s. 3573-3578, sie. 2001. open in new tab
- I. Ufnalska, "Woltamperometria -instrukcja laboratoryjna". . open in new tab
- R. S. Nicholson i I. Shain, "Theory of stationary electrode polarography. Single scan and cyclic methods applied to reversible, irreversible, and kinetic systems.", Analytical Chemistry, t. 36, nr 4, s. 706-723, 1964. open in new tab
- J. Wang, Analytical electrochemistry, 3rd ed. Hoboken, N.J: Wiley-VCH, 2006. open in new tab
- Z. Stojek, "Pulse Voltammetry", w Electroanalytical Methods, Springer, Berlin, Heidelberg, 2005, s. 99-110. open in new tab
- K. Aoki, K. Tokuda, i H. Matsuda, "Theory of differential pulse voltammetry at stationary planar electrodes", Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry, t. 175, nr 1, s. 1-13, wrz. 1984. open in new tab
- D. M. Gruen, "Nanocrystalline diamond films", Annual Review of Materials Science, t. 29, nr 1, s. 211-259, 1999. open in new tab
- O. A. Williams, O. Douhéret, M. Daenen, K. Haenen, E. Ōsawa, i M. Takahashi, "Enhanced diamond nucleation on monodispersed nanocrystalline diamond", Chemical Physics Letters, t. 445, nr 4, s. 255-258, wrz. 2007. open in new tab
- R. Bogdanowicz i in., "Improved surface coverage of an optical fibre with nanocrystalline diamond by the application of dip-coating seeding", Diamond and Related Materials, t. 55, s. 52- 63, 2015. open in new tab
- R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, L. Gołunski, J. Ryl, i M. Gardas, "Optical and structural properties of polycrystalline CVD diamond films grown on fused silica optical fibres pre- treated by high-power sonication seeding", Applied Physics A, t. 116, nr 4, s. 1927-1937, 2014. open in new tab
- M. Ficek i in., "Optical and electrical properties of boron doped diamond thin conductive films deposited on fused silica glass substrates", Applied Surface Science, t. 387, s. 846-856, 2016.
- M. Varga, T. Ižák, A. Kromka, M. Veselý, K. Hruška, i M. Michalka, "Study of diamond film nucleation by ultrasonic seeding in different solutions", centr.eur.j.phys., t. 10, nr 1, s. 218-224, luty 2012. open in new tab
- E. Scorsone, S. Saada, J. C. Arnault, i P. Bergonzo, "Enhanced control of diamond nanoparticle seeding using a polymer matrix", Journal of Applied Physics, t. 106, nr 1, s. 014908, lip. 2009. open in new tab
- W. Zhu, F. R. Sivazlian, B. R. Stoner, i J. T. Glass, "Nucleation and selected area deposition of diamond by biased hot filament chemical vapor deposition", Journal of materials research, t. 10, nr 2, s. 425-430, 1995. open in new tab
- A. Stacey, I. Aharonovich, S. Prawer, i J. E. Butler, "Controlled synthesis of high quality micro/nano-diamonds by microwave plasma chemical vapor deposition", Diamond and Related Materials, t. 18, nr 1, s. 51-55, sty. 2009. open in new tab
- X. Liu, T. Yu, Q. Wei, Z. Yu, i X. Xu, "Enhanced diamond nucleation on copper substrates by employing an electrostatic self-assembly seeding process with modified nanodiamond particles", Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, t. 412, s. 82-89, paź. 2012. open in new tab
- M. Wang i in., "Seed-free growth of diamond patterns on silicon predefined by femtosecond laser direct writing", Crystal Growth & Design, t. 13, nr 2, s. 716-722, 2013.
- M. Daenen, O. A. Williams, J. D'Haen, K. Haenen, i M. Nesládek, "Seeding, growth and characterization of nanocrystalline diamond films on various substrates", phys. stat. sol. (a), t. 203, nr 12, s. 3005-3010, wrz. 2006. open in new tab
- R. Akhvlediani, I. Lior, S. Michaelson, i A. Hoffman, "Nanometer rough, sub-micrometer- thick and continuous diamond chemical vapor deposition film promoted by a synergetic ultrasonic effect", Diamond and Related Materials, t. 11, nr 3, s. 545-549, mar. 2002. open in new tab
- W. A. Pliskin i H. S. Lehman, "Structural Evaluation of Silicon Oxide Films", J. Electrochem. Soc., t. 112, nr 10, s. 1013-1019, sty. 1965. open in new tab
- J. Philip i in., "Elastic, mechanical, and thermal properties of nanocrystalline diamond films", Journal of Applied Physics, t. 93, nr 4, s. 2164-2171, sty. 2003.
- "Instrukcja laboratoryjna uniwersytet Princetone, New Jersey, USA". [Online]. open in new tab
- [189] "What is e-beam evaporation? -ALB Materials Inc". [Online]. open in new tab
- Y. Ando, Y. Nishibayashi, K. Kobashi, T. Hirao, i K. Oura, "Smooth and high-rate reactive ion etching of diamond", Diamond and Related Materials, t. 11, nr 3, s. 824-827, mar. 2002. open in new tab
- H. Guo, Y. Qi, i X. Li, "Adhesion at diamond/metal interfaces: A density functional theory study", Journal of Applied Physics, t. 107, nr 3, s. 033722, luty 2010. open in new tab
- Ł. Gołuński, K. Zwolski, i P. Płotka, "Electrical Characterization of Diamond/Boron Doped Diamond Nanostructures for Use in Harsh Environment Applications", IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. open in new tab
- Eng., t. 104, nr 1, s. 012022, 2016. open in new tab
- M. Nunotani i in., "Effects of Oxygen Addition on Diamond Film Growth by Electron- Cyclotron-Resonance Microwave Plasma CVD Apparatus", Jpn. J. Appl. Phys., t. 30, nr 7A, s.
- L1199, lip. 1991.
- D. S. Dandy, "Influence of the gas phase on doping in diamond chemical vapor deposition", Thin Solid Films, t. 381, nr 1, s. 1-5, 2001. open in new tab
- S. Naoi, K. Natsui, i Y. Einaga, "Boron Concentration-Dependent Electrochemical Properties of Boron-Doped Diamond Electrodes", w Meeting Abstracts, 2016, s. 3585-3585. open in new tab
- N. Fujimori, H. Nakahata, i T. Imai, "Properties of Boron-Doped Epitaxial Diamond Films", Jpn. J. Appl. Phys., t. 29, nr 5R, s. 824, maj 1990. open in new tab
- J. Xu, M. C. Granger, Q. Chen, J. W. Strojek, T. E. Lister, i G. M. Swain, "Peer reviewed: boron-doped diamond thin-film electrodes", Analytical Chemistry, t. 69, nr 19, s. 591A-597A, 1997. open in new tab
- H. A. Hoff i in., "Ohmic contacts to semiconducting diamond using a Ti/Pt/Au trilayer metallization scheme", Diamond and Related Materials, t. 5, nr 12, s. 1450-1456, grudz. 1996.
- P. Karabinas i D. Jannakoudakis, "Kinetic parameters and mechanism of the electrochemical oxidation of L-ascorbic acid on platinum electrodes in acid solutions", Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry, t. 160, nr 1, s. 159-167, sty. 1984. open in new tab
- M. R. Deakin, P. M. Kovach, K. J. Stutts, i R. M. Wightman, "Heterogeneous mechanisms of the oxidation of catechols and ascorbic acid at carbon electrodes", Analytical Chemistry, t. 58, nr 7, s. 1474-1480, cze. 1986. open in new tab
- I. Yagi, H. Notsu, T. Kondo, D. A. Tryk, i A. Fujishima, "Electrochemical selectivity for redox systems at oxygen-terminated diamond electrodes", Journal of Electroanalytical Chemistry, t. 473, nr 1, s. 173-178, wrz. 1999. Spis ilustracji: RYS. 1A) PRZEWODNOŚĆ W TEMPERATURZE POKOJOWEJ (B) KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W ZALEŻNOŚCI OD POZIOMU DOMIESZKI BORU. WARTOŚCI Z DONIESIEŃ LITERATUROWYCH ZAWARTYCH W PRACY W. GAJEWSKI I IN., "ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF BORON-DOPED NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS" [28]. .. 8 open in new tab
- RYS. 2 A-F) PRZYKŁADOWE KSZTAŁTY MIKROELEKTROD WRAZ Z POLAMI DYFUZJI NA NICH. open in new tab
- G-J) TYPOWE PRZYKŁADY STOSOWANYCH MATRYC MIKROELEKTROD. [65] G)
- MATRYCA MIKRO DYSKÓW, H) MIKRO PASMA ELEKTROD, I) ZINTEGROWANA
- MATRYCA MIKROELEKTROD (POZIOMO LUB PIONOWO), J) LINIOWA MATRYCA
- MIKROELEKTROD I TRÓJWYMIAROWA MATRYCA ELEKTROD. .......................................... 19
- RYS. 3 A) MIKROELEKTRODY ZNAJDUJĄCE SIĘ W WYCIĘTYCH LASEROWO OTWORACH W WARSTWIE IZOLUJĄCEJ. [77] B) PRZYKŁAD ZINTEGROWANYCH ELEKTROD W POSTACI
- RYS. 4 PRZYKŁADOWE ROZWIĄZANIA Z NIEZALEŻNYMI PODŁĄCZONYMI ELEKTRODAMI A)
- STOSOWANE DO NEUROBADAŃ [69], B) KWADRATOWE ELEKTRODY WYTWORZONE Z "LASU" NANORUREK [65]. ............................................................................................................... 21
- RYS. 5 UZYSKIWANIE ELEKTROD W DIAMENCIE POPRZEZ LASEROWĄ ABLACJĘ I POLEROWANIE DOMIESZKOWANEGO DIAMENTU [62]. .......................................................... 22 open in new tab
- RYS. 6 UKŁAD 3 MIKROELEKTROD DIAMENTOWYCH A) MIKROELEKTRODA PRACUJĄCA O ŁĄCZNYM ROZMIARZE1,71X10 -4 CM 2 WYTWORZONA Z MAŁYCH 97 ELEKTROD,B) open in new tab
- ELEKTORDA PRACUJĄCA O ROZMIARZE 3,14X10 -2 CM 2 [61]. .................................................. 23
- RYS. 9 WYKRES FAZOWY DLA ODMIAN ALOTROPOWYCH WĘGLA [92]. ..................................... 27
- RYS. 10 STRUKTURA KRYSTALOGRAFICZNA DIAMENTU I GRAFITU [96]. ................................... 28
- RYS. 11 RÓŻNICA W ENERGII POMIĘDZY GRAFITEM A DIAMENTEM I BARIERA ENERGETYCZNA POTRZEBNA DO WYTWORZENIA WIĄZAŃ W DIAMENCIE[97]. ............. 29
- RYS. 12 POSTACIE WARSTW WĘGLOWYCH W ZALEŻNOŚCI OD STOSUNKU ZAWARTOŚCI FAZ Z HYBRYDYZACJĄ SP 2 , SP 3 I ZAWARTOŚCIĄ WODORU [114]. ................................................ 31
- RYS. 13 TRÓJKĄT BACHMANA POKAZUJĄCY STOSUNEK GAZÓW (C, H, O) W KTÓRYCH PRZEBIEGA SYNTEZA WARSTW WĘGLOWYCH [115]. .............................................................. 32
- RYS. 14 SCHEMAT REAKTORA PROCESU µPACVD WSPOMAGANEGO PLAZMĄ MIKROFALOWĄ FIRMY ASTEX SEKI I WIZUALIZACJA KOMORY WRAZ Z TOREM MIKROFALOWYM [116].
- ................................................................................................................................................................ 33 open in new tab
- RYS. 15 ZOBRAZOWANIE POZIOMÓW ENERGETYCZNYCH NA ZŁĄCZU METAL PÓŁPRZEWODNIK [142]..................................................................................................................... 38
- RYS. 16 PRZEJŚCIA MIĘDZY POZIOMAMI OSCYLACYJNYMI W SPEKTROSKOPII RAMANOWSKIEJ [150]....................................................................................................................... 44
- RYS. 17 PRZYKŁADOWE DOPASOWANIE KRZYWYCH DO OBLICZENIA PÓL POWIERZCHNI POD PIKAMI. ................................................................................................................................................. 46
- RYS. 19 ZALEŻNOŚĆ WSPÓŁCZYNNIKA KOREKCYJNEGO F2 W ZALEŻNOŚCI OD ROZMIARÓW
- PRÓBKI [162]. ....................................................................................................................................... 51
- RYS. 20 ZALEŻNOŚĆ WSPÓŁCZYNNIKA KOREKCYJNEGO OD GRUBOŚCI WARSTWY I ODLEGŁOŚCI MIĘDZY OSTRZAMI DLA F11 PODŁOŻA IZOLUJĄCEGO F12 PODŁOŻA
- RYS. 21 TRANSFER PRĄDU Z PÓŁPRZEWODNIKA DO METALU REPREZENTOWANY JEST PRZEZ STRZAŁKI. KONTAKT METAL/PÓŁPRZEWODNIK ...................................................................... 53
- RYS. 22 SCHEMAT BUDOWY STRUKTURY DO BADANIA REZYSTANCJI KONTAKTÓW METODĄ TLM I PRZYKŁADOWY WYKRES WYNIKU POMIARÓW [164]. ................................................. 54
- RYS. 23 SCHEMAT UKŁADU TRÓJELEKTRODOWEGO. 1 -ELEKTRODA PRACUJĄCA, 2 - ELEKTRODA ODNIESIENIA, ELEKTRODA POMOCNICZA. ........................................................ 55
- RYS. 25 KRZYWA WOLTAMPEROMETRYCZNA I = F(E) DLA PROCESÓW ODWRACALNYCH REDOKS [169]. .............................................................................................. 56
- RYS. 26 A) SCHODKOWY SPOSÓB POLARYZACJI ELEKTRODY W TECHNICE DPP [171], B)
- KRZYWA WOLTAMPEROMETRYCZNA W TECHNICE DPP ....................................................... 59
- RYS. 27 ZDJĘCIE Z MIKROSKOPU SIŁ ATOMOWYCH I WIZUALIZACJA POWIERZCHNI PO ZARODKOWANIU. .............................................................................................................................. 63
- RYS. 28 PORÓWNANIE WARSTW W ZALEŻNOŚCI OD ZARODKOWANIA A) WODA B) PVA C)
- TEOS D) NIECIĄGŁOŚCI WARSTWY PRZY WYKORZYSTANIU TEOS-U ................................ 64
- RYS. 29 PORÓWNANIE SPEKTROSKOPII RAMANOWSKIEJ DLA CIENKICH WARSTW PO ZARODKOWANIU, A) Z WYKORZYSTANIEM KOLOIDU PVA B) Z WYKORZYSTANIEM
- MIESZANINY WODY Z DIAMENTEM ............................................................................................. 65
- RYS. 30 PRZYKŁADOWE RÓŻNICE WYSTĘPUJĄCE POMIĘDZY OBSZARAMI PODCZAS TRAWIENIA NA MOKRO. CIEMNIEJSZE OBSZARY ŚCIEŻEK SĄ TO NIEWYTRAWIONE
- ELEMENTY. ......................................................................................................................................... 67
- RYS. 31 TRANSMITANCJA WARSTWY DIAMENTOWEJ DLA SPEKTRUM ŚWIATŁA OD UV DO IR DLA RÓŻNYCH PARAMETRÓW WZROSTU DIAMENTU. .......................................................... 68
- RYS. 32 GRUBOŚĆ WARSTWY FOTOREZYSTU AZ5214 W ZALEŻNOŚCI OD PRĘDKOŚCI WIROWANIA [187]. ............................................................................................................................ 69
- RYS. 33 WYGLĄD I SCHEMAT BUDOWY URZĄDZENIA DO NAPAROWANIA Z NAGRZEWANIEM MATERIAŁU PAROWANEGO WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ -E-BEAM EVAPORATOR
- RYS. 34 PROCESY TECHNOLOGICZNE TRAWIENIA WARSTWY Z ZARODKAMI A) Z WYKORZYSTANIEM MASKI ALUMINIOWEJ B) TWARDEJ MASKI KONTAKTOWEJ Z
- MOLIBDENU. ...................................................................................................................................... 76
- RYS. 35 OBRÓBKA WARSTWY Z ZARODKAMI A, B) WARSTWA DIAMENTOWA SYNTEZOWANA Z PVA PO TRAWIENIU PRZEZ MASKĘ Z ALUMINIUM P1, C, D) WARSTWA DIAMENTOWA
- SYNTEZOWANA Z PVA PO TRAWIENIA PRZEZ TWARDĄ KONTAKTOWĄ MASKĘ MOLIBDENOWĄ P2, E) WARSTWA PVA PO TRAWIENIU RIE, F) OBSERWACJA GĘSTOŚCI WYSTĘPOWANIA DIAMENTU W REJONIE NIEINTENCJONALNEGO WZROSTU DLA
- PROCESU P2. ....................................................................................................................................... 77
- RYS. 36 POZOSTAŁE DIAMENTY NA OBSZARZE TRAWIENIA. WIELKOŚĆ POJEDYNCZYCH KRYSZTAŁÓW JEST ZDECYDOWANIE WIĘKSZA OD KRYSZTAŁÓW POJAWIAJĄCYCH SIĘ
- W WARSTWACH. ............................................................................................................................... 78
- RYS. 37 SCHEMATY PRZEDSTAWIAJĄCE POSZCZEGÓLNE PROCESY OTRZYMYWANIA STRUKTUR Z DIAMENTU A) Z WYKORZYSTANIEM TRAWIENIA RIE POPRZEZ TWARDĄ MASKĘ KONTAKTOWĄ WYKONANĄ Z MOLIBDENU T2, B) Z WYKORZYSTANIEM
- METODY PONOWNEGO WZROSTU G1, C) TRAWIENIE POPRZEZ MASKĘ ALUMINIOWĄ
- OSADZANĄ NA DIAMENCIE Z WYKORZYSTANIEM TECHNIK FOTOLITOGRAFICZNYCH
- T1. .......................................................................................................................................................... 80 open in new tab
- RYS. 38 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE TRAWIENIA PRZEZ TWARDĄ KONTAKTOWĄ MASKĘ MOLIBDENOWĄ T2 W RÓŻNYCH POŁOŻENIACH A) WIDOK NA OBSZAR TRAWIENIA Z
- ODDALENIA B) OBSZAR NIETRAWIONEGO DIAMENTU, C) FAZA PRZEJŚCIOWA D)
- GRANICA POMIĘDZY FAZĄ DIAMENTOWĄ I NIEDIAMENTOWĄ. ......................................... 80
- RYS. 39 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE TRAWIENIA PRZEZ OSADZONĄ MASKĘ AL. T1 W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH. POŁOŻENIACH A) WIDOK NA OBSZAR TRAWIENIA Z ODDALENIA B) GRANICA POMIĘDZY OBSZARAMI TRAWIENIA, C) OBSZAR
- NIESTRAWIONEGO DIAMENTU D) OBSZAR TRAWIENIA DIAMENTU Z POJEDYNCZYM NIESTRAWIONYM KRYSZTAŁEM. ................................................................................................. 81
- RYS. 40 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE PONOWNEGO WZROSTU PRZEZ MASKĘ SIO2 G1 W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH. A,B) RÓŻNE KSZTAŁTY, C) FRAGMENT PIERŚCIENIOWEJ
- PRZERWY O SZEROKOŚCI 5µM, D) GRANICA POMIĘDZY OBSZARAMI DIAMENTOWYM I TRAWIENIA, E) WZROST DIAMENTU NA NIEDOTRAWIONEJ WARSTWIE SIO2, F) DIAMENT
- W OBSZARZE NIETRAWIONYM. ..................................................................................................... 82
- RYS. 41 SCHEMATYCZNE PRZEDSTAWIENIE WARSTW NA PRZEKROJU JEDNEJ ELEKTRODY. ................................................................................................................................................................ 90
- RYS. 42 ZESTAWIENIE MASEK WSZYSTKICH POZIOMÓW. W OBSZARACH ZAZNACZONYCH PRZERYWANĄ LINIĄ WYZNACZONO POSZCZEGÓLNE OBSZARY ELEMENTÓW. ............. 96
- RYS. 43 OBSZAR ZNAKÓW CENTRUJĄCYCH I WYRÓŻNIENIE ICH DLA KOLEJNYCH POZIOMÓW. A) RZECZYWISTE WYKONANIE NA CZUJNIKU B) SCHEMAT WYSTĘPUJĄCY
- NA MASKACH. .................................................................................................................................... 97 open in new tab
- RYS. 44 PRZYKŁADOWE ZESTAWIENIE WZORÓW ZNAKÓW CENTRUJĄCYCH. MASKA Z POZIOMU ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH (CZARNA) TO OKNO DO OBSERWACJI I CENTROWANIE WZORU DO ZNAKU CENTRUJĄCEGO WYTWORZONEGO NA POZIOMIE
- IZOLACJI .............................................................................................................................................. 98
- RYS. 45 SCHEMAT BUDOWY UKŁADÓW TLM I PODOBNYCH DO TLM I ICH POŁOŻENIE WZGLĘDEM CZUJNIKA. DOKŁADNIEJSZY OPIS W TEKŚCIE. .................................................. 99 open in new tab
- RYS. 47 WYMIARY OBSZARU CZUJNIKA W OKOLICY ELEKTROD. .............................................. 101
- RYS. 48 PROJEKT FOTOMASKI DLA TRAWIENIA NIEINTENCJONALNIE DOMIESZKOWANEGO DIAMENTU Z POZIOMU IZOLACJI. ............................................................................................... 103
- RYS. 49 POZIOM IZOLACJI WYKONANY W PROCESIE "01" A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA OBSZARZE TRAWIENIA, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA), F) POMIAR RAMANA DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA PIKÓW. ............. 105
- RYS. 51 NANIESIONA MASKA SIO2 DO WYTWORZENIA POZIOMU ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH, A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA
- RAMANA WYKONANA NA 20µM OBSZARZE ZABEZPIECZAJĄCYM (POMIAR PRZEZ WARSTWĘ SIO2, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) WYNIKI SPEKTROSKOPII RAMANA
- DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA
- PIKÓW. ................................................................................................................................................ 108
- RYS. 52 PRAWIDŁOWO WYKONANY WZROST WARSTWY DIAMENTOWEJ NA POZIOM ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH, A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA OBSZARZE O NIEINTENCJONALNYM WZROŚCIE DIAMENTU, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM
- I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA PIKÓW.
- ............................................................................................................................................................ 110
- RYS. 53 ŚCIEŻKI Z DUŻĄ ZAWARTOŚCIĄ FAZ WĘGLOWYCH NA POWIERZCHNI SIO2,POWSTAŁE W WYNIKU ZBYT NISKIEJ MASKI A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH O NIEINTENCJONALNYM WYSTĘPOWANIU DIAMENTU D - POMIJALNIE MAŁE ILOŚCI FAZ WĘGLOWYCH, F -DUŻE SKUPISKA FAZ WĘGLOWYCH, E)
- ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI
- POMIAROWEJ URZĄDZENIA, ........................................................................................................ 111
- RYS. 54 POZIOM ŚCIEŻEK NA PODŁOŻACH Z DOMIESZKĄ TLENU. A,B,C) ZDJĘCIA
- MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA
- WYKONANA BLISKO OBSZARU ŚCIEŻEK, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, F) POMIAR RAMANA DLA OBSZARU W PEWNEJ ODLEGŁOŚCI
- OD ŚCIEŻKI. ...................................................................................................................................... 113
- RYS. 56 POZIOM ELEKTROD WYKONANIE MASKI Z SIO2., A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA W OBSZARZE POJEDYNCZYCH ZANIECZYSZCZEŃ WIDOCZNYCH POMIMO DODATKOWEJ
- WARSTWY SIO2. ............................................................................................................................... 116
- RYS. 57 POZIOM ELEKTROD. A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, F)
- POMIAR RAMANA POKAZUJĄCY RÓŻNICĘ W STOSUNKU PIKÓW DIAMENTOWEGO, NIEDIAMENTOWEGO I KRZEMOWEGO. ..................................................................................... 117
- RYS. 58 A) MASKA DO STWORZENIA OTWORÓW NA KONTAKTY, B) MASKA DO PRZEPROWADZENIA FOTOLITOGRAFII DLA PROCESU LIFT-OFF NA KONTAKTY
- METALOWE....................................................................................................................................... 118
- RYS. 59 KONTAKTY TI/AU NA POWIERZCHNI DIAMENTU, A, B) KONTAKTY NA POWIERZCHNI ŚCIEŻEK, NA PRÓBCE WIDOCZNE POJEDYNCZE OBSZARY ŁUSZCZENIA SIO2, C)
- KONTAKTY NA UKŁADZIE TLM, ZARYSOWANE PUNKTY ŚLADY PO POŁĄCZENIACH ZA POMOCĄ IGIEŁ, D) PRZYKŁADOWY PRZEKRÓJ ROZSZERZONEGO OBSZARU NA
- KONTAKTACH. ................................................................................................................................. 119 open in new tab
- RYS. 60 SCHEMATYCZNE PRZEDSTAWIENIE UKŁADU TLM I UKŁADÓW PODOBNYCH DO TLM .............................................................................................................................................................. 123
- RYS. 61 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W STRUKTURZE TLM ŚCIEŻKI PRZEWODZĄCEJ (MET- BDD_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. ..................................... 123
- RYS. 62 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W PODOBNEJ DO TLM STRUKTURZE TESTOWEJ KONTAKTU ELEKTRODA DIAMENTOWA -ŚCIEŻKA PRZEWODZĄCA (BDD-BDD_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. .................................................................................... 125
- RYS. 63 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W PODOBNEJ DO TLM STRUKTURZE TESTOWEJ DO BADANIA IZOLACJI POMIĘDZY ELEKTRODAMI ROBOCZYMI UMIESZCZONYMI NA NIEDOMIESZKOWANEJ WARSTWIE DIAMENTOWEJ (IZOL_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. ............................................................................................ 127
- RYS. 64 UKŁAD POMIAROWY TRÓJELEKTRODOWY DO CYKLICZNEJ WOLTAMPEROMETRII, OPIS POSZCZEGÓLNYCH ELEMENTÓW ZAPREZENTOWANO NA ZDJĘCIU, W TLE KLATKA FARADAYA SŁUŻĄCA DO POMIARÓW Z NISKIM NATĘŻENIEM PRĄDU. .......................... 128
- RYS. 65 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE DLA MIKROELEKTRODY DIAMENTOWEJ I STANDARDOWEJ DUŻEJ ELEKTRODĄ DIAMENTOWEJ. ......................................................... 129
- RYS. 66 PORÓWNANIE KRZYWYCH WOLTAMPEROMETRYCZNYCH DLA A) 8 ELEKTROD WYSTĘPUJĄCYCH NA JEDNEJ MATRYCY, B) TEJ SAMEJ ELEKTRODY WYSTĘPUJĄCEJ NA
- RÓŻNYCH MATRYCACH. ............................................................................................................ 130
- RYS. 67 PRZYKŁADOWE KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE JEDNEJ MATRYCY NA ZAKRESIE ±0,5 V DO OKREŚLENIA POJEMNOŚCI ELEKTROD. A) PO ODRZUCENIU SKRAJNYCH WYNIKÓW, B) PORÓWNANIE SKRAJNYCH WYNIKÓW Z ŚRODKOWYCH
- WARTOŚCI ......................................................................................................................................... 131
- RYS. 68 PORÓWNANIE DETEKCJI ŻELAZOCYJANKÓW NA DUŻEJ I MIKRO ELEKTRODACH. 133
- RYS. 69 PORÓWNANIE KRZYWEJ WOLTAMPEROMETRYCZNEJ DLA CZYSTEGO ROZTWORU NA2SO4 I DETEKCJI ŻELAZOCYJANKÓW .................................................................................... 133
- RYS. 70 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE W PRZYPADKU KONTAKTU MIĘDZY CIECZĄ, A METALOWĄ ŚCIEŻKĄ. A) DLA ZAKRESU POTENCJAŁU ±0,5V I B) PORÓWNANIE Z
- ZAKRESEM POTENCJAŁU ±1,5V ................................................................................................... 134 open in new tab
- RYS. 71 A) KILKA WYBRANYCH KINETYK DLA JEDNEJ ELEKTRODY Z WIDOCZNYMI OBOMA PIKAMI DLA ŻELAZOCYJANKÓW, B) ZALEŻNOŚĆ POMIĘDZY WYSOKOŚCIĄ PIKU, A
- PRĘDKOŚCIĄ SKANOWANIA. ........................................................................................................ 135
- RYS. 72 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE ŻELAZOCYJANKÓW Z WIDOCZNYM JEDNYM PIKIEM W ZALEŻNOŚCI OD STĘŻENIA ŻELAZOCYJANKÓW. ................................................ 135
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 174 times
Recommended for you
Monitoring ramanowski wzrostu cienkich warstw węglowych-studium
- M. Gnyba,
- M. Kozanecki,
- P. Wroczyński
- + 1 authors