Metoda wytwarzania mikroczujników i elektrod elektrochemicznych przez selektywny wzrost polikrystalicznych warstw diamentowych maskowany warstwami dwutlenku krzemu - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Metoda wytwarzania mikroczujników i elektrod elektrochemicznych przez selektywny wzrost polikrystalicznych warstw diamentowych maskowany warstwami dwutlenku krzemu

Abstrakt

Opisano wytwarzanie matrycy mikroelektrod wykonanych z diamentu domieszkowanego borem do zastosowań w czujnikach elektrochemicznych. Praca jest podzielona na 8 rozdziałów. W pierwszym rozdziale opisano cele i motywacje do stworzenia diamentowych matryc. Następnie opisano zalety mikroelektrod i przedstawiony aktualny stan wiedzy dotyczący syntezy polikrystalicznych diamentowych elektrod. W trzecim rozdziale przedstawiono krótki zarys historyczny syntezy diamentu i jego teoretyczne aspekty. Oprócz tego uwzględniono domieszkowanie diamentu jak i opisano mechanizmy przewodnictwa w polikrystalicznych warstwach diamentowych. Czwarty rozdział skupia się na metodach diagnostycznych do oceny jakościowej wytworzonych struktur. Przedstawiono metody do określenia morfologii powierzchni, jakości diamentu, grubość struktur i rezystywności warstw. Do określenia powyższych elementów wykorzystano analizy mikroskopem elektronowym, mikroskopem sił atomowych, sondą 4-ostrzowa i analizę elektryczną z wykorzystaniem linii transmisyjnej. Oprócz tego przedstawiono zastosowanie spektroskopii Ramana do analizy stosunku faz z hybrydyzacją orbitali sp3 i sp2 w warstwach węglowych, a także cykliczną woltamperometrię do detekcji żelazocyjanków witaminy C i paracetamolu. W rozdziałach od piątego do siódmego zaprezentowane projekt, przygotowanie materiałów, wytworzenie i analizę właściwości stworzonych matryc elektrod. W piątym rozdziale opisano różne metody zarodkowania nie-diamentowych podłoży do wzrostu diamentu. Jako najlepszą technikę do wykorzystania na podłożach z SiO2 wytypowano mieszaninę diamentu w PVA dającą zarodkowanie na poziomie 1010/cm2. W następnym rozdziale przedstawiono modyfikację przestrzenną warstw diamentowych z wykorzystaniem różnych procesów fotolitografii, trawienia i ponownego wzrostu. W rozdziale szóstym opisano projekt wytworzenia matrycy mikroelektrod jak i proces wytwarzania warstwa po warstwie. Docelowa struktura powinna się składać z 3 warstw diamentu o różnych właściwościach elektrycznych i stosunku faz sp3/sp2. Kolejne warstwy są przeznaczone na strukturę podłoża izolacyjnego, ścieżki przewodzące i elektrody elektrochemiczne. W rozdziale siódmym opisano badanie właściwości elektrycznych struktur diamentowych z wykorzystaniem linii transmisyjnej i porównano je do wartości warstw. Przeprowadzono również procesy elektrochemiczne, do określenia okna elektrochemicznego i pojemności elektrod. Przeprowadzono detekcję żelazocyjanków, witaminy C i paracetamolu.

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację
pobrano 347 razy

Licencja

Copyright (Author(s))

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Doktoraty, rozprawy habilitacyjne, nostryfikacje
Typ:
praca doktorska pracowników zatrudnionych w PG oraz studentów studium doktoranckiego
Język:
polski
Rok wydania:
2018
Bibliografia: test
  1. Rys. 19 Zależność współczynnika korekcyjnego f2 w zależności od rozmiarów próbki [162].
  2. Rys. 20 Zależność współczynnika korekcyjnego od grubości warstwy i odległości między ostrzami dla f11 podłoża izolującego f12 podłoża przewodzącego [162].
  3. M. Ficek. M. Sobaszek, M. Gnyba, J. Ryl, Ł. Gołuński, M. Śmietana, J. Jasiński, P. otwiera się w nowej karcie
  4. Caban, R. Bogdanowicz; "Optical and electrical properties of boron doped diamond thin conductive films deposited on fused silica glass substrates", Applied Surface Science, t. 387, s. 846-856, 2016.
  5. M. Sobaszek, Ł. Skowroński, R. Bogdanowicz, K. Siuzdak, A. Cirocka, P. Zięba, M. Gnyba, M. Naparty, Ł. Gołuński, P. Płotka; "Optical and electrical properties of ultrathin transparent nanocrystalline boron-doped diamond electrodes", Optical Materials, t. 42, s. 24-34, kwi. 2015. otwiera się w nowej karcie
  6. L. Golunski, M. Sobaszek, M. Gardas, M. Gnyba, R. Bogdanowicz, M. Ficek, P. Płotka; "Optimization of Polycrystalline CVD Diamond Seeding with the Use of sp 3 /sp 2 Raman Band Ratio", Acta Physica Polonica A, t. 128, nr 1, s. 136-140, 2015. otwiera się w nowej karcie
  7. Ł. Gołuński, K. Zwolski, i P. Płotka, "Electrical Characterization of Diamond/Boron Doped Diamond Nanostructures for Use in Harsh Environment Applications", IOP otwiera się w nowej karcie
  8. Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., t. 104, nr 1, s. 012022, 2016. Oprócz powyższych publikacji autor pracy przyczynił się do powstania publikacji o otwiera się w nowej karcie
  9. R. Bogdanowicz, A. Fabiańska, L. Gołuński, M. Sobaszek, M. Gnyba, J. Ryl, K. otwiera się w nowej karcie
  10. Darowicki, T. Ossowski, S.D. Janssens, K. Haenen, E.M. Siedlecka; "Influence of the boron doping level on the electrochemical oxidation of the azo dyes at Si/BDD thin film electrodes", Diamond and Related Materials, t. 39, s. 82-88, paź. 2013.
  11. R. Bogdanowicz, M. Sobaszek, J. Ryl, M. Gnyba, M. Ficek, Ł. Gołuński, J.W. Bock, M. Śmietana, K. Darowicki; "Improved surface coverage of an optical fibre with nanocrystalline diamond by the application of dip-coating seeding", Diamond and Related Materials, t. 55, s. 52-63, 2015. otwiera się w nowej karcie
  12. R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, M. Ficek, V. Stranak, Ł. Gołuński, M. Sobaszek, J.Ryl; "Nucleation and growth of CVD diamond on fused silica optical fibres with titanium dioxide interlayer", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 1991- 1997, paź. 2013. otwiera się w nowej karcie
  13. R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, J. Ryl, i M. Gardas, "Optical and structural properties of polycrystalline CVD diamond films grown on fused silica optical fibres pre-treated by high-power sonication seeding", Applied Physics A, t. 116, nr 4, s. 1927-1937, 2014. otwiera się w nowej karcie
  14. R. Bogdanowicz, L. Golunski, i M. Sobaszek, "Spatial characterization of H2: CH4 dissociation level in microwave ECR plasma source by fibre-optic OES", The European Physical Journal Special Topics, t. 222, nr 9, s. 2223-2232, 2013. otwiera się w nowej karcie
  15. K. Paprock, K. Fabisiak, R, Bogdanowicz, Ł. Gołuński, E. Staryga, M. Szybowicz, M. Kowalska, A. Banaszak., "Charge-based deep level transient spectroscopy of B- doped and undoped polycrystalline diamond films", Journal of Materials Science, t. 52, nr 17, s. 10119-10126, 2017. Literatura: otwiera się w nowej karcie
  16. M. Krammer i in., "CVD diamond sensors for charged particle detection", Diamond and Related Materials, t. 10, nr 9, s. 1778-1782, wrz. 2001.
  17. G. Mazzeo, S. Salvatori, M. C. Rossi, G. Conte, i M.-C. Castex, "Deep UV pulsed laser monitoring by CVD diamond sensors", Sensors and Actuators A: Physical, t. 113, nr 3, s. 277-281, sie. 2004. otwiera się w nowej karcie
  18. J. de Sanoit, E. Vanhove, P. Mailley, i P. Bergonzo, "Electrochemical diamond sensors for TNT detection in water", Electrochimica Acta, t. 54, nr 24, s. 5688-5693, paź. 2009. otwiera się w nowej karcie
  19. W. Adam i in., "Performance of irradiated CVD diamond micro-strip sensors", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, t. 476, nr 3, s. 706-712, sty. 2002. otwiera się w nowej karcie
  20. I. Taher, M. Aslam, M. A. Tamor, T. J. Potter, i R. C. Elder, "Piezoresistive microsensors using p-type CVD diamond films", Sensors and Actuators A: Physical, t. 45, nr 1, s. 35-43, paź. otwiera się w nowej karcie
  21. K. E. Spear, J. P. Dismukes, i E. Society, Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology. John Wiley & Sons, 1994.
  22. A. M. Zaitsev, Optical Properties of Diamond: A Data Handbook. Springer Science & Business Media, 2013. otwiera się w nowej karcie
  23. J. E. Butler i A. Sumant, "Butler Sumant nanodiamond review", sty. 2013. otwiera się w nowej karcie
  24. M. W. Geis, J. C. Twichell, i T. M. Lyszczarz, "Diamond emitters fabrication and theory", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, t. 14, nr 3, s. 2060-2067, maj 1996. otwiera się w nowej karcie
  25. H. Liu i D. S. Dandy, "Studies on nucleation process in diamond CVD: an overview of recent developments", Diamond and Related Materials, t. 4, nr 10, s. 1173-1188, wrz. 1995. otwiera się w nowej karcie
  26. J. Asmussen i D. Reinhard, Diamond Films Handbook. CRC Press, 2002. otwiera się w nowej karcie
  27. W. P. Kang i in., "Diamond and carbon-derived vacuum micro-and nano-electronic devices", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 3-7, s. 685-691.
  28. S. P. Gimenez, "Diamond MOSFET: An innovative layout to improve performance of ICs", Solid-State Electronics, t. 54, nr 12, s. 1690-1696, grudz. 2010. otwiera się w nowej karcie
  29. W. P. Kang, J. L. Davidson, Y. M. Wong, i K. Holmes, "Diamond vacuum field emission devices", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 975-981, kwi. 2004. otwiera się w nowej karcie
  30. A. Aleksov i in., "Diamond field effect transistors-concepts and challenges", Diamond and Related Materials, t. 12, nr 3, s. 391-398, mar. 2003.
  31. A. Kovalenko i in., "Diamond-based electrodes for organic photovoltaic devices", Solar Energy Materials and Solar Cells, t. 134, s. 73-79, mar. 2015.
  32. M. Liao, Y. Koide, i J. Alvarez, "Photovoltaic Schottky ultraviolet detectors fabricated on boron-doped homoepitaxial diamond layer", Appl. Phys. Lett., t. 88, nr 3, s. 033504, sty. 2006. otwiera się w nowej karcie
  33. Z. Q. Ma i B. X. Liu, "Boron-doped diamond-like amorphous carbon as photovoltaic films in solar cell", Solar Energy Materials and Solar Cells, t. 69, nr 4, s. 339-344, lis. 2001. otwiera się w nowej karcie
  34. A. Qureshi, W. P. Kang, J. L. Davidson, i Y. Gurbuz, "Review on carbon-derived, solid- state, micro and nano sensors for electrochemical sensing applications", Diamond and Related Materials, t. 18, s. 1401-1420, grudz. 2009. otwiera się w nowej karcie
  35. A. Fabiańska i in., "Electrochemical oxidation of sulphamerazine at boron-doped diamond electrodes: Influence of boron concentration", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 2040-2047, paź.
  36. R. Bogdanowicz i in., "Amperometric sensing of chemical oxygen demand at glassy carbon and silicon electrodes modified with boron-doped diamond", Sensors and Actuators B Chemical, t. 189, sty. 2012. otwiera się w nowej karcie
  37. J. P. Sullivan, T. A. Friedmann, i K. Hjort, "Diamond and Amorphous Carbon MEMS", MRS otwiera się w nowej karcie
  38. Bulletin, t. 26, nr 4, s. 309-311, kwi. 2001. otwiera się w nowej karcie
  39. J. K. Luo, Y. Q. Fu, H. R. Le, J. A. Williams, S. M. Spearing, i W. I. Milne, "Diamond and diamond-like carbon MEMS", J. Micromech. Microeng., t. 17, nr 7, s. S147, 2007. otwiera się w nowej karcie
  40. J. Hees i in., "Piezoelectric actuated micro-resonators based on the growth of diamond on aluminum nitride thin films", Nanotechnology, t. 24, nr 2, s. 025601, 2013.
  41. M. W. Varney, D. M. Aslam, A. Janoudi, H.-Y. Chan, i D. H. Wang, "Polycrystalline- otwiera się w nowej karcie
  42. Diamond MEMS Biosensors Including Neural Microelectrode-Arrays", Biosensors, t. 1, nr 3, s. 118- 133, sie. 2011. otwiera się w nowej karcie
  43. P. H. Chen, C. L. Lin, Y. K. Liu, T. Y. Chung, i C. Y. Liu, "Diamond Heat Spreader Layer for High-Power Thin-GaN Light-Emitting Diodes", IEEE Photonics Technology Letters, t. 20, nr 10, s. 845-847, maj 2008. otwiera się w nowej karcie
  44. J. Ryl, L. Burczyk, R. Bogdanowicz, M. Sobaszek, i K. Darowicki, "Study on surface technique", Carbon, t. 96, s. 1093-1105, sty. 2016. otwiera się w nowej karcie
  45. W. Gajewski i in., "Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films", Phys. Rev. B, t. 79, nr 4, s. 045206, sty. 2009.
  46. S. Matsumoto, "Development of diamond synthesis techniques at low pressures", Thin Solid Films, t. 368, nr 2, s. 231-236, cze. 2000. otwiera się w nowej karcie
  47. R. Bogdanowicz i in., "Nucleation and growth of CVD diamond on fused silica optical fibres with titanium dioxide interlayer", Phys. Status Solidi A, t. 210, nr 10, s. 1991-1997, paź. 2013. otwiera się w nowej karcie
  48. M. R. Werner i W. R. Fahrner, "Review on materials, microsensors, systems and devices for high-temperature and harsh-environment applications", IEEE Transactions on Industrial Electronics, t. 48, nr 2, s. 249-257, kwi. 2001. otwiera się w nowej karcie
  49. Y. Fu, H. Du, J. Miao, i Y. Liu, "Patterning of diamond microstructures on Si substrate by bulk and surface micromachining", zaprezentowano na Micromachining and Microfabrication, 2000, t. 4230, s. 164-170. otwiera się w nowej karcie
  50. D. B. Seley i in., "Electroplate and Lift Lithography for Patterned Micro/Nanowires Using Ultrananocrystalline Diamond (UNCD) as a Reusable Template", ACS Appl Mater Interfaces, t. 3, nr 4, s. 925-930, kwi. 2011.
  51. G. F. Ding, H. P. Mao, Y. L. Cai, Y. H. Zhang, X. Yao, i X. L. Zhao, "Micromachining of CVD diamond by RIE for MEMS applications", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 9, s. 1543- 1548, wrz. 2005. otwiera się w nowej karcie
  52. Z. Shpilman i in., "Oxidation and Etching of CVD Diamond by Thermal and Hyperthermal Atomic Oxygen", The Journal of Physical Chemistry C, t. 114, nr 44, s. 18996-19003, lis. 2010.
  53. J. K. Park, V. M. Ayres, J. Asmussen, i K. Mukherjee, "Precision micromachining of CVD diamond films", Diamond and Related Materials, t. 9, nr 3, s. 1154-1158, kwi. 2000. otwiera się w nowej karcie
  54. A. Stanishevsky, "Patterning of diamond and amorphous carbon films using focused ion beams", Thin Solid Films, t. 398-399, s. 560-565, lis. 2001. otwiera się w nowej karcie
  55. X. D. Wang, G. D. Hong, J. Zhang, B. L. Lin, H. Q. Gong, i W. Y. Wang, "Precise patterning of diamond films for MEMS application", Journal of Materials Processing Technology, t. 127, nr 2, s. 230-233, wrz. 2002. otwiera się w nowej karcie
  56. X. Jiang, E. Boettger, M. Paul, i C. -P. Klages, "Approach of selective nucleation and epitaxy of diamond films on Si(100)", Appl. Phys. Lett., t. 65, nr 12, s. 1519-1521, wrz. 1994. otwiera się w nowej karcie
  57. S.-K. Lee, J.-H. Kim, M.-G. Jeong, M.-J. Song, i D.-S. Lim, "Direct deposition of patterned nanocrystalline CVD diamond using an electrostatic self-assembly method with nanodiamond particles", Nanotechnology, t. 21, nr 50, s. 505302, 2010. otwiera się w nowej karcie
  58. J. S. Ma i in., "Selective nucleation and growth of diamond particles by plasma-assisted chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 55, nr 11, s. 1071-1073, wrz. 1989.
  59. P. A. Dennig, H. Shiomi, D. A. Stevenson, i N. M. Johnson, "Influence of substrate treatments on diamond thin film nucleation", Thin Solid Films, t. 212, nr 1, s. 63-67, maj 1992. otwiera się w nowej karcie
  60. W. P. Kang i in., "Micropatterned polycrystalline diamond field emitter vacuum diode arrays", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, t. 14, nr 3, s. 2068-2071, maj 1996.
  61. R. Ramesham, "Fabrication of diamond microstructures for microelectromechanical systems (MEMS) by a surface micromachining process", Thin Solid Films, t. 340, nr 1, s. 1-6, luty 1999. otwiera się w nowej karcie
  62. H. Zhuang, B. Song, T. Staedler, i X. Jiang, "Microcontact Printing of Monodiamond Nanoparticles: An Effective Route to Patterned Diamond Structure Fabrication", Langmuir, t. 27, nr 19, s. 11981-11989, paź. 2011. otwiera się w nowej karcie
  63. A. C. Taylor, R. Edgington, i R. B. Jackman, "Patterning of nanodiamond tracks and nanocrystalline diamond films using a micropipette for additive direct-write processing", ACS applied materials & interfaces, t. 7, nr 12, s. 6490-6495, 2015. otwiera się w nowej karcie
  64. J. Nishizawa, P. Plotka, i T. Kurabayashi, "Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors: nano-devices for THz electronics", IEEE Transactions on Electron Devices, t. 49, nr 7, s. 1102-1111, lip. 2002. otwiera się w nowej karcie
  65. J. Nishizawa, P. Płotka, i T. Kurabayashi, "GaAs area-selective regrowth with molecular layer epitaxy for integration of low noise and power transistors, and Schottky diodes", Phys. Status Solidi (c), t. 5, nr 9, s. 2799-2801, lip. 2008. otwiera się w nowej karcie
  66. J. Nishizawa, Y. Oyama, P. Plotka, i H. Sakuraba, "Optimization of low temperature surface treatment of GaAs crystal", Surface Science, t. 348, nr 1, s. 105-114, mar. 1996. otwiera się w nowej karcie
  67. I. Aharonovich i in., "Homoepitaxial Growth of Single Crystal Diamond Membranes for Quantum Information Processing", Adv. Mater., t. 24, nr 10, s. OP54-OP59, mar. 2012. otwiera się w nowej karcie
  68. R. Müller, P. Schmid, A. Munding, R. Gronmaier, i E. Kohn, "Elements for surface microfluidics in diamond", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 780-784, kwi. 2004. otwiera się w nowej karcie
  69. B. C. Lourenção, R. A. Medeiros, R. C. Rocha-Filho, L. H. Mazo, i O. Fatibello-Filho, "Simultaneous voltammetric determination of paracetamol and caffeine in pharmaceutical formulations using a boron-doped diamond electrode", Talanta, t. 78, nr 3, s. 748-752, maj 2009. otwiera się w nowej karcie
  70. C. Radovan, C. Cofan, i D. Cinghita, "Simultaneous Determination of Acetaminophen and otwiera się w nowej karcie
  71. Ascorbic Acid at an Unmodified Boron-Doped Diamond Electrode by Differential Pulse Voltammetry in Buffered Media", Electroanalysis, t. 20, nr 12, s. 1346-1353. otwiera się w nowej karcie
  72. E. A. McGaw i G. M. Swain, "A comparison of boron-doped diamond thin-film and Hg- media", Analytica Chimica Acta, t. 575, nr 2, s. 180-189, sie. 2006. otwiera się w nowej karcie
  73. E. Popa, H. Notsu, T. Miwa, D. A. Tryk, i A. Fujishima, "Selective electrochemical detection of dopamine in the presence of ascorbic acid at anodized diamond thin film electrodes", Electrochemical and solid-state letters, t. 2, nr 1, s. 49-51, 1999. otwiera się w nowej karcie
  74. A. E. Cohen i R. R. Kunz, "Large-area interdigitated array microelectrodes for electrochemical sensing", Sensors and Actuators B: Chemical, t. 62, nr 1, s. 23-29, 2000. otwiera się w nowej karcie
  75. A. E. Hess, D. M. Sabens, H. B. Martin, i C. A. Zorman, "Diamond-on-Polymer otwiera się w nowej karcie
  76. Microelectrode Arrays Fabricated Using a Chemical Release Transfer Process", Journal of Microelectromechanical Systems, t. 20, nr 4, s. 867-875, sie. 2011. otwiera się w nowej karcie
  77. V. Carabelli i in., "Planar diamond-based multiarrays to monitor neurotransmitter release and action potential firing: new perspectives in cellular neuroscience", ACS chemical neuroscience, t. 8, nr 2, s. 252-264, 2017.
  78. T. Hayasaka i in., "Integration of boron-doped diamond microelectrode on CMOS-based amperometric sensor array by film transfer technology", Journal of Microelectromechanical Systems, t. 24, nr 4, s. 958-967, 2015.
  79. T. Watanabe i in., "Fabrication of a microfluidic device with boron-doped diamond electrodes for electrochemical analysis", Electrochimica Acta, t. 197, s. 159-166, 2016.
  80. M. Ensch i in., "Isatin Detection Using a Boron-Doped Diamond 3-in-1 Sensing Platform", Analytical chemistry, t. 90, nr 3, s. 1951-1958, 2018. otwiera się w nowej karcie
  81. M. B. Joseph i in., "Fabrication route for the production of coplanar, diamond insulated, boron doped diamond macro-and microelectrodes of any geometry", Analytical chemistry, t. 86, nr 11, s. 5238-5244, 2014.
  82. C. A. Rusinek, M. F. Becker, R. Rechenberg, i T. Schuelke, "Fabrication and characterization of boron doped diamond microelectrode arrays of varied geometry", Electrochemistry Communications, t. 73, s. 10-14, 2016. otwiera się w nowej karcie
  83. I. Montenegro, M. A. Queirós, i J. L. Daschbach, Red., Microelectrodes: Theory and Applications. Springer Netherlands, 1991. otwiera się w nowej karcie
  84. X.-J. Huang, A. M. O'Mahony, i R. G. Compton, "Microelectrode arrays for electrochemistry: approaches to fabrication", Small, t. 5, nr 7, s. 776-788, 2009. otwiera się w nowej karcie
  85. Z.-W. Fan i L.-W. Hourng, "The analysis and investigation on the microelectrode fabrication by electrochemical machining", International Journal of Machine Tools and Manufacture, t. 49, nr 7-8, s. 659-666, 2009.
  86. J. J. Burmeister, K. Moxon, i G. A. Gerhardt, "Ceramic-based multisite microelectrodes for electrochemical recordings", Analytical chemistry, t. 72, nr 1, s. 187-192, 2000. otwiera się w nowej karcie
  87. H. Yang, M. T. Rahman, D. Du, R. Panat, i Y. Lin, "3-D printed adjustable microelectrode arrays for electrochemical sensing and biosensing", Sensors and Actuators B: Chemical, t. 230, s. 600-606, 2016. otwiera się w nowej karcie
  88. B. Ghane-Motlagh i M. Sawan, "Design and implementation challenges of microelectrode arrays: a review", Materials Sciences and Applications, t. 4, nr 08, s. 483, 2013. otwiera się w nowej karcie
  89. F. A. Aguiar, A. J. Gallant, M. C. Rosamond, A. Rhodes, D. Wood, i R. Kataky, "Conical recessed gold microelectrode arrays produced during photolithographic methods: Characterisation and causes", Electrochemistry communications, t. 9, nr 5, s. 879-885, 2007. otwiera się w nowej karcie
  90. M. Yang, F. Qu, Y. Li, Y. He, G. Shen, i R. Yu, "Direct electrochemistry of hemoglobin in gold nanowire array", Biosensors and Bioelectronics, t. 23, nr 3, s. 414-420, 2007. otwiera się w nowej karcie
  91. J. Liu i in., "Carbon-decorated ZnO nanowire array: a novel platform for direct electrochemistry of enzymes and biosensing applications", Electrochemistry Communications, t. 11, nr 1, s. 202-205, 2009.
  92. C. Mu, Q. Zhao, D. Xu, Q. Zhuang, i Y. Shao, "Silicon nanotube array/gold electrode for direct electrochemistry of cytochrome c", The Journal of Physical Chemistry B, t. 111, nr 6, s. 1491- 1495, 2007. otwiera się w nowej karcie
  93. M. Wang, Z. Bao, X. Wang, i X. Xu, "Fabrication of disk microelectrode arrays and their application to micro-hole drilling using electrochemical micromachining", Precision Engineering, t. 46, s. 184-192, 2016. otwiera się w nowej karcie
  94. L. Yang, Y. Li, i G. F. Erf, "Interdigitated Array Microelectrode-Based Electrochemical otwiera się w nowej karcie
  95. Impedance Immunosensor for Detection of Escherichia c oli O157: H7", Analytical chemistry, t. 76, nr 4, s. 1107-1113, 2004. otwiera się w nowej karcie
  96. Y. Li i in., "A method for patterning multiple types of cells by using electrochemical desorption of self-assembled monolayers within microfluidic channels", Angewandte Chemie International Edition, t. 46, nr 7, s. 1094-1096, 2007.
  97. G. Wittstock, B. Gründig, B. Strehlitz, i K. Zimmer, "Evaluation of microelectrode arrays for amperometric detection by scanning electrochemical microscopy", Electroanalysis: An International Journal Devoted to Fundamental and Practical Aspects of Electroanalysis, t. 10, nr 8, s. 526-531, 1998. otwiera się w nowej karcie
  98. B. Fan, Y. Zhu, R. Rechenberg, C. A. Rusinek, M. F. Becker, i W. Li, "Large-scale, all polycrystalline diamond structures transferred onto flexible Parylene-C films for neurotransmitter sensing", Lab on a Chip, t. 17, nr 18, s. 3159-3167, 2017. otwiera się w nowej karcie
  99. T. Kolber, K. Piplits, R. Haubner, i H. Hutter, "Quantitative investigation of boron incorporation in polycrystalline CVD diamond films by SIMS", Fresenius J Anal Chem, t. 365, nr 8, s. 636-641, grudz. 1999. otwiera się w nowej karcie
  100. H. Spicka i in., "Investigations of the incorporation of B, P and N into CVD-diamond films by secondary ion mass spectrometry", Diamond and Related Materials, t. 5, nr 3, s. 383-387, kwi.
  101. G. F. Cardinale i C. J. Robinson, "Fracture strength measurement of filament assisted CVD polycrystalline diamond films", Journal of Materials Research, t. 7, nr 6, s. 1432-1437, cze. 1992. otwiera się w nowej karcie
  102. F. Rossini i R. Jessup, "Heat and free energy of formation of carbon dioxide, and of transition between graphite and diamond", Journal of research of the National Bureau of Standards, nr 21, s. 491-512, paź. 1938. otwiera się w nowej karcie
  103. F. P. Bundy, "The P, T phase and reaction diagram for elemental carbon, 1979", J. Geophys. otwiera się w nowej karcie
  104. Res., t. 85, nr B12, s. 6930-6936, grudz. 1980.
  105. F. P. Bundy, H. T. Hall, H. M. Strong, i R. H. W. Jun, "Man-Made Diamonds", Nature, t. 176, nr 4471, s. 51-55, lip. 1955. otwiera się w nowej karcie
  106. P. S. DeCarli i J. C. Jamieson, "Formation of Diamond by Explosive Shock", Science, t. 133, nr 3467, s. 1821-1822, cze. 1961. otwiera się w nowej karcie
  107. B. J. Alder i R. H. Christian, "Behavior of Strongly Shocked Carbon", Phys. Rev. Lett., t. 7, nr 10, s. 367-369, lis. 1961.
  108. W. G. Eversole, "Synthesis of diamond", US3030188A, 24-lis-1961.
  109. J. C. Angus, H. A. Will, i W. S. Stanko, "Growth of Diamond Seed Crystals by Vapor Deposition", Journal of Applied Physics, t. 39, s. 2915-2922, maj 1968. otwiera się w nowej karcie
  110. B. V. Deryagin i D. V. Fedoseev, "Epitaxial Synthesis of Diamond in the Metastable Region", Russian Chemical Reviews, t. 39, nr 9, s. 783-788, wrz. 1970. otwiera się w nowej karcie
  111. B. V. Derjaguin i D. B. Fedoseev, "The Synthesis of Diamond at Low Pressure", Scientific otwiera się w nowej karcie
  112. American, t. 233, nr 5, s. 102-109, 1975.
  113. B. V. Spitsyn, L. L. Bouilov, i B. V. Derjaguin, "Vapor growth of diamond on diamond and other surfaces", Journal of Crystal Growth, t. 52, s. 219-226, kwi. 1981. otwiera się w nowej karcie
  114. J. Isberg i in., "High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond", Science, t. 297, nr 5587, s. 1670-1672, wrz. 2002.
  115. F. P. Bundy, "Pressure-temperature phase diagram of elemental carbon", Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, t. 156, nr 1, s. 169-178, mar. 1989. otwiera się w nowej karcie
  116. G. W. Yang, "Laser ablation in liquids: Applications in the synthesis of nanocrystals", Progress in Materials Science, t. 52, nr 4, s. 648-698, maj 2007. otwiera się w nowej karcie
  117. G.-W. Yang, J.-B. Wang, i Q.-X. Liu, "Preparation of nano-crystalline diamonds using pulsed laser induced reactive quenching", J. Phys.: Condens. Matter, t. 10, nr 35, s. 7923, 1998. otwiera się w nowej karcie
  118. "«Ogólnopolski Katalog Szkolnictwa», podręczniki online". [Online]. Dostępne na: https://www.szkolnictwo.pl/szukaj,/szukaj,grafit. [Udostępniono: 04-lip-2018].
  119. M. Frenklach i K. E. Spear, "Growth mechanism of vapor-deposited diamond", Journal of Materials Research, t. 3, nr 1, s. 133-140, luty 1988. otwiera się w nowej karcie
  120. S. W. Reeve i W. A. Weimer, "Plasma diagnostics of a direct-current arcjet diamond reactor. otwiera się w nowej karcie
  121. II. Optical emission spectroscopy", Journal of Vacuum Science & Technology A, t. 13, nr 2, s. 359- 367, mar. 1995. otwiera się w nowej karcie
  122. A. Gicquel i in., "Spectroscopic analysis and chemical kinetics modeling of a diamond deposition plasma reactor", Diamond and Related Materials, t. 3, nr 4, s. 581-586, kwi. 1994.
  123. M. N. R. Ashfold i in., "Unravelling aspects of the gas phase chemistry involved in diamond chemical vapour deposition", Phys. Chem. Chem. Phys., t. 3, nr 17, s. 3471-3485, sty. 2001.
  124. P. W. May i Y. A. Mankelevich, "From Ultrananocrystalline Diamond to Single Crystal Diamond Growth in Hot Filament and Microwave Plasma-Enhanced CVD Reactors: a Unified Model for Growth Rates and Grain Sizes", J. Phys. Chem. C, t. 112, nr 32, s. 12432-12441, sie. otwiera się w nowej karcie
  125. P. W. May, "The New Diamond Age?", Science, t. 319, nr 5869, s. 1490-1491, mar. 2008. otwiera się w nowej karcie
  126. D. R. Lide, G. Baysinger, S. Chemistry, L. I. Berger, R. N. Goldberg, i H. V. Kehiaian, "CRC Handbook of Chemistry and Physics", s. 2660. otwiera się w nowej karcie
  127. R. Bogdanowicz, "Optoelektroniczny monitoring stanu wzbudzenia plazmy niskotemperaturowej w procesach syntezy optycznych warstw diamentopodobnych", 2009.
  128. S. Matsumoto, Y. Sato, M. Tsutsumi, i N. Setaka, "Growth of diamond particles from methane-hydrogen gas", J Mater Sci, t. 17, nr 11, s. 3106-3112, lis. 1982. otwiera się w nowej karcie
  129. M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, i N. Setaka, "Diamond synthesis from gas phase in microwave plasma", Journal of Crystal Growth, t. 62, nr 3, s. 642-644, sie. 1983. otwiera się w nowej karcie
  130. K. Sugiyama, K. Kiyokawa, H. Matsuoka, A. Itou, K. Hasegawa, i K. Tsutsumi, "Generation of non-equilibrium plasma at atmospheric pressure and application for chemical process", Thin Solid Films, t. 316, nr 1, s. 117-122, mar. 1998. otwiera się w nowej karcie
  131. J. Wang, Analytical Electrochemistry. John Wiley & Sons, 2006.
  132. E. Brillas i C. A. Martinez-Huitle, Synthetic Diamond Films: Preparation, Electrochemistry, Characterization, and Applications. John Wiley & Sons, 2011. otwiera się w nowej karcie
  133. A. Netto i M. Frenklach, "Kinetic Monte Carlo simulations of CVD diamond growth- Interlay among growth, etching, and migration", Diamond and Related Materials, t. 14, nr 10, s. 1630-1646, paź. 2005. otwiera się w nowej karcie
  134. Y. A. Mankelevich i P. W. May, "New insights into the mechanism of CVD diamond growth: Single crystal diamond in MW PECVD reactors", Diamond and Related Materials, t. 17, nr 7, s. 1021-1028, lip. 2008. otwiera się w nowej karcie
  135. Y. Lifshitz i in., "The Mechanism of Diamond Nucleation from Energetic Species", Science, t. 297, nr 5586, s. 1531-1533, sie. 2002.
  136. M. A. Prelas, G. Popovici, i L. K. Bigelow, Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films. CRC Press, 1997. otwiera się w nowej karcie
  137. A. C. Ferrari i J. Robertson, "Raman spectroscopy of amorphous, nanostructured, diamond- like carbon, and nanodiamond", Philosophical Transactions of the Royal Society of London A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, t. 362, nr 1824, s. 2477-2512, 2004. otwiera się w nowej karcie
  138. P. K. Bachmann, D. Leers, i H. Lydtin, "Towards a general concept of diamond chemical vapour deposition", Diamond and Related Materials, t. 1, nr 1, s. 1-12, 1991. otwiera się w nowej karcie
  139. S.-T. Lee, Z. Lin, i X. Jiang, "CVD diamond films: nucleation and growth", Materials Science and Engineering: R: Reports, t. 25, nr 4, s. 123-154, 1999. otwiera się w nowej karcie
  140. L. Golunskia i in., "Optimization of Polycrystalline CVD Diamond Seeding with the Use of sp3/sp2 Raman Band Ratio", Acta Physica Polonica A, t. 128, nr 1, s. 136-140, 2015.
  141. R. Bogdanowicz i in., "Influence of the boron doping level on the electrochemical oxidation of the azo dyes at Si/BDD thin film electrodes", Diamond and Related Materials, t. 39, s. 82-88, paź. 2013. otwiera się w nowej karcie
  142. D. Wu i in., "Optical properties of boron-doped diamond", Phys. Rev. B, t. 73, nr 1, s. 012501, sty. 2006.
  143. R. G. Farrer, "On the substitutional nitrogen donor in diamond", Solid State Communications, t. 7, nr 9, s. 685-688, maj 1969. otwiera się w nowej karcie
  144. J. Birrell, J. E. Gerbi, O. Auciello, J. M. Gibson, D. M. Gruen, i J. A. Carlisle, "Bonding structure in nitrogen doped ultrananocrystalline diamond", Journal of Applied Physics, t. 93, nr 9, s. 5606-5612, kwi. 2003. otwiera się w nowej karcie
  145. S. Koizumi, T. Teraji, i H. Kanda, "Phosphorus-doped chemical vapor deposition of diamond", Diamond and Related Materials, t. 9, nr 3, s. 935-940, kwi. 2000. otwiera się w nowej karcie
  146. M. Hasegawa, T. Teraji, i S. Koizumi, "Lattice location of phosphorus in n-type homoepitaxial diamond films grown by chemical-vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 79, nr 19, s. 3068-3070, paź. 2001. otwiera się w nowej karcie
  147. E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, i M. Nesládek, "Electronic States of Boron and Phosphorus in Diamond", phys. stat. sol. (a), t. 174, nr 1, s. 39-51, lip. 1999. otwiera się w nowej karcie
  148. S. Koizumi i in., "Growth and characterization of phosphorus doped n-type diamond thin films", Diamond and Related Materials, t. 7, nr 2, s. 540-544, luty 1998.
  149. P. Serp i B. Machado, Nanostructured Carbon Materials for Catalysis. Royal Society of Chemistry, 2015. otwiera się w nowej karcie
  150. X. Wu i L. R. Radovic, "Ab Initio Molecular Orbital Study on the Electronic Structures and Reactivity of Boron-Substituted Carbon", J. Phys. Chem. A, t. 108, nr 42, s. 9180-9187, paź. 2004. otwiera się w nowej karcie
  151. J. H. T. Luong, K. B. Male, i J. D. Glennon, "Boron-doped diamond electrode: synthesis, characterization, functionalization and analytical applications", Analyst, t. 134, nr 10, s. 1965-1979, wrz. 2009. otwiera się w nowej karcie
  152. J. Mort i in., "Boron doping of diamond thin films", Applied Physics Letters, t. 55, nr 11, s. 1121-1123, lip. 1989.
  153. M. Sobaszek i in., "Optical and electrical properties of ultrathin transparent nanocrystalline boron-doped diamond electrodes", Optical Materials, t. 42, s. 24-34, kwi. 2015.
  154. A. T. Collins i A. W. S. Williams, "The nature of the acceptor centre in semiconducting diamond", J. Phys. C: Solid State Phys., t. 4, nr 13, s. 1789, 1971. otwiera się w nowej karcie
  155. M. Hata, M. Tsuda, N. Fujii, i S. Oikawa, "Surface migration enhancement of adatoms in the photoexcited process on reconstructed diamond (001) surfaces", Applied Surface Science, t. 79- 80, s. 255-263, maj 1994. otwiera się w nowej karcie
  156. P. Wurzinger, P. Pongratz, P. Hartmann, R. Haubner, i B. Lux, "Investigation of the boron incorporation in polycrystalline CVD diamond films by TEM, EELS and Raman spectroscopy", Diamond and Related Materials, t. 6, nr 5, s. 763-768, kwi. 1997. otwiera się w nowej karcie
  157. J. C. Angus, Y. V. Pleskov, i S. C. Eaton, "Electrochemistry of diamond", w Semiconductors and semimetals, t. 77, Elsevier, 2004, s. 97-119. otwiera się w nowej karcie
  158. X. H. Wang i in., "Effects of boron doping on the surface morphology and structural imperfections of diamond films", Diamond and Related Materials, t. 1, nr 7, s. 828-835, 1992.
  159. P. Hartmann i in., "Diamond growth with boron addition", International Journal of Refractory Metals and Hard Materials, t. 16, nr 3, s. 223-232, sty. 1998.
  160. Y. Muto, T. Sugino, J. Shirafuji, i K. Kobashi, "Electrical conduction in undoped diamond films prepared by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 59, nr 7, s. 843-845, sie. 1991. otwiera się w nowej karcie
  161. S. Bhattacharyya i in., "Synthesis and characterization of highly-conducting nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films", Appl. Phys. Lett., t. 79, nr 10, s. 1441-1443, sie. 2001. otwiera się w nowej karcie
  162. N. Dwivedi, S. Kumar, H. K. Malik, Govind, C. M. S. Rauthan, i O. S. Panwar, "Correlation of sp3 and sp2 fraction of carbon with electrical, optical and nano-mechanical properties of argon- diluted diamond-like carbon films", Applied Surface Science, t. 257, nr 15, s. 6804-6810, maj 2011. otwiera się w nowej karcie
  163. J. Bardeen, "Surface States and Rectification at a Metal Semi-Conductor Contact", Phys. Rev., t. 71, nr 10, s. 717-727, maj 1947. otwiera się w nowej karcie
  164. S. M. Sze i K. K. Ng, Physics of semiconductor devices. John wiley & sons, 2006. otwiera się w nowej karcie
  165. C. Toma, "Nanoscale characterization and modification of the electronic properties of hydrogen terminated diamond surfaces.", 2008.
  166. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, i D. E. Eastman, "Quantum photoyield of diamond (111)-A stable negative-affinity emitter", Physical Review B, t. 20, nr 2, s. 624, 1979. otwiera się w nowej karcie
  167. R. S. Sussmann, CVD diamond for electronic devices and sensors, t. 26. John Wiley & Sons, 2009.
  168. Y. Mori, H. Kawarada, i A. Hiraki, "Properties of metal/diamond interfaces and effects of oxygen adsorbed onto diamond surface", Appl. Phys. Lett., t. 58, nr 9, s. 940-941, mar. 1991. otwiera się w nowej karcie
  169. M. Itoh i H. Kawarada, "Fabrication and characterization of metal-semiconductor field- effect transistor utilizing diamond surface-conductive layer", Japanese journal of applied physics, t. 34, nr 9R, s. 4677, 1995. otwiera się w nowej karcie
  170. T. Tachibana, B. E. Williams, i J. T. Glass, "Correlation of the electrical properties of metal contacts on diamond films with the chemical nature of the metal-diamond interface. II. Titanium contacts: A carbide-forming metal", Physical Review B, t. 45, nr 20, s. 11975, 1992. otwiera się w nowej karcie
  171. I. Barshack i in., "A Novel Method for "Wet" SEM", Ultrastructural Pathology, t. 28, nr 1, s. 29-31, sty. 2004.
  172. X. Z. Liao, R. J. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, i Y. W. Lam, "The influence of boron doping on the structure and characteristics of diamond thin films", Diamond and Related Materials, t. 6, nr 2, s. 521-525, mar. 1997. otwiera się w nowej karcie
  173. A. Aina, "In situ monitoring of pharmaceutical crystallisation", lip. 2012. otwiera się w nowej karcie
  174. D. S. Knight i W. B. White, "Characterization of diamond films by Raman spectroscopy", Journal of Materials Research, t. 4, nr 2, s. 385-393, kwi. 1989. otwiera się w nowej karcie
  175. M. Bernard, C. Baron, i A. Deneuville, "About the origin of the low wave number structures of the Raman spectra of heavily boron doped diamond films", Diamond and Related Materials, t. 13, nr 4, s. 896-899, kwi. 2004. otwiera się w nowej karcie
  176. J. W. Ager, W. Walukiewicz, M. McCluskey, M. A. Plano, i M. I. Landstrass, "Fano interference of the Raman phonon in heavily boron-doped diamond films grown by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., t. 66, nr 5, s. 616-618, sty. 1995. otwiera się w nowej karcie
  177. P. W. May, W. J. Ludlow, M. Hannaway, P. J. Heard, J. A. Smith, i K. N. Rosser, "Raman and conductivity studies of boron-doped microcrystalline diamond, facetted nanocrystalline diamond and cauliflower diamond films", Diamond and Related Materials, t. 17, nr 2, s. 105-117, luty 2008. otwiera się w nowej karcie
  178. F. C. Tai, S. C. Lee, J. Chen, C. Wei, i S. H. Chang, "Multipeak fitting analysis of Raman spectra on DLCH film", Journal of Raman Spectroscopy, t. 40, nr 8, s. 1055-1059, sie. 2009. otwiera się w nowej karcie
  179. R. E. Shroder, R. J. Nemanich, i J. T. Glass, "Analysis of the composite structures in diamond thin films by Raman spectroscopy", Physical Review B, t. 41, nr 6, s. 3738, 1990. otwiera się w nowej karcie
  180. J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori, H. Ehrhardt, i S. R. P. Silva, "Raman spectroscopy on amorphous carbon films", Journal of Applied Physics, t. 80, nr 1, s. 440-447, 1996. otwiera się w nowej karcie
  181. R. J. Nemanich, J. T. Glass, G. Lucovsky, i R. E. Shroder, "Raman scattering characterization of carbon bonding in diamond and diamondlike thin films", Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, t. 6, nr 3, s. 1783-1787, 1988. otwiera się w nowej karcie
  182. N. Ali i in., "Optimisation of the new time-modulated CVD process using the Taguchi method", Thin Solid Films, t. 469-470, s. 154-160, grudz. 2004.
  183. A. Mallik i in., "Characterizations of microwave plasma CVD grown polycrystalline diamond coatings for advanced technological applications", Processing and Application of Ceramics, t. 8, nr 2, s. 69-80, 2014.
  184. F. M. Smits, "Measurement of sheet resistivities with the four-point probe", Bell Labs Technical Journal, t. 37, nr 3, s. 711-718, 1958. otwiera się w nowej karcie
  185. Finite-Size Corrections for 4-Point Probe Measurements". [Online]. otwiera się w nowej karcie
  186. A. Shimamoto, K. Yamashita, H. Inoue, S. Yang, M. Iwata, i N. Ike, "A Nondestructive Evaluation Method: Measuring the Fixed Strength of Spot-Welded Joint Points by Surface Electrical Resistivity", J. Pressure Vessel Technol, t. 135, nr 2, s. 021501-021501-7, mar. 2013. otwiera się w nowej karcie
  187. D. K. Schroder, Semiconductor material and device characterization. John Wiley & Sons, 2006. otwiera się w nowej karcie
  188. G. M. Swain, "The use of CVD diamond thin films in electrochemical systems", Adv. Mater., t. 6, nr 5, s. 388-392, maj 1994. otwiera się w nowej karcie
  189. G. M. Swain i R. Ramesham, "The electrochemical activity of boron-doped polycrystalline diamond thin film electrodes", Anal. Chem., t. 65, nr 4, s. 345-351, luty 1993.
  190. J. Iniesta, P. A. Michaud, M. Panizza, G. Cerisola, A. Aldaz, i C. Comninellis, "Electrochemical oxidation of phenol at boron-doped diamond electrode", Electrochimica Acta, t. 46, nr 23, s. 3573-3578, sie. 2001. otwiera się w nowej karcie
  191. I. Ufnalska, "Woltamperometria -instrukcja laboratoryjna". . otwiera się w nowej karcie
  192. R. S. Nicholson i I. Shain, "Theory of stationary electrode polarography. Single scan and cyclic methods applied to reversible, irreversible, and kinetic systems.", Analytical Chemistry, t. 36, nr 4, s. 706-723, 1964. otwiera się w nowej karcie
  193. J. Wang, Analytical electrochemistry, 3rd ed. Hoboken, N.J: Wiley-VCH, 2006. otwiera się w nowej karcie
  194. Z. Stojek, "Pulse Voltammetry", w Electroanalytical Methods, Springer, Berlin, Heidelberg, 2005, s. 99-110. otwiera się w nowej karcie
  195. K. Aoki, K. Tokuda, i H. Matsuda, "Theory of differential pulse voltammetry at stationary planar electrodes", Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry, t. 175, nr 1, s. 1-13, wrz. 1984. otwiera się w nowej karcie
  196. D. M. Gruen, "Nanocrystalline diamond films", Annual Review of Materials Science, t. 29, nr 1, s. 211-259, 1999. otwiera się w nowej karcie
  197. O. A. Williams, O. Douhéret, M. Daenen, K. Haenen, E. Ōsawa, i M. Takahashi, "Enhanced diamond nucleation on monodispersed nanocrystalline diamond", Chemical Physics Letters, t. 445, nr 4, s. 255-258, wrz. 2007. otwiera się w nowej karcie
  198. R. Bogdanowicz i in., "Improved surface coverage of an optical fibre with nanocrystalline diamond by the application of dip-coating seeding", Diamond and Related Materials, t. 55, s. 52- 63, 2015. otwiera się w nowej karcie
  199. R. Bogdanowicz, M. Śmietana, M. Gnyba, L. Gołunski, J. Ryl, i M. Gardas, "Optical and structural properties of polycrystalline CVD diamond films grown on fused silica optical fibres pre- treated by high-power sonication seeding", Applied Physics A, t. 116, nr 4, s. 1927-1937, 2014. otwiera się w nowej karcie
  200. M. Ficek i in., "Optical and electrical properties of boron doped diamond thin conductive films deposited on fused silica glass substrates", Applied Surface Science, t. 387, s. 846-856, 2016.
  201. M. Varga, T. Ižák, A. Kromka, M. Veselý, K. Hruška, i M. Michalka, "Study of diamond film nucleation by ultrasonic seeding in different solutions", centr.eur.j.phys., t. 10, nr 1, s. 218-224, luty 2012. otwiera się w nowej karcie
  202. E. Scorsone, S. Saada, J. C. Arnault, i P. Bergonzo, "Enhanced control of diamond nanoparticle seeding using a polymer matrix", Journal of Applied Physics, t. 106, nr 1, s. 014908, lip. 2009. otwiera się w nowej karcie
  203. W. Zhu, F. R. Sivazlian, B. R. Stoner, i J. T. Glass, "Nucleation and selected area deposition of diamond by biased hot filament chemical vapor deposition", Journal of materials research, t. 10, nr 2, s. 425-430, 1995. otwiera się w nowej karcie
  204. A. Stacey, I. Aharonovich, S. Prawer, i J. E. Butler, "Controlled synthesis of high quality micro/nano-diamonds by microwave plasma chemical vapor deposition", Diamond and Related Materials, t. 18, nr 1, s. 51-55, sty. 2009. otwiera się w nowej karcie
  205. X. Liu, T. Yu, Q. Wei, Z. Yu, i X. Xu, "Enhanced diamond nucleation on copper substrates by employing an electrostatic self-assembly seeding process with modified nanodiamond particles", Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, t. 412, s. 82-89, paź. 2012. otwiera się w nowej karcie
  206. M. Wang i in., "Seed-free growth of diamond patterns on silicon predefined by femtosecond laser direct writing", Crystal Growth & Design, t. 13, nr 2, s. 716-722, 2013.
  207. M. Daenen, O. A. Williams, J. D'Haen, K. Haenen, i M. Nesládek, "Seeding, growth and characterization of nanocrystalline diamond films on various substrates", phys. stat. sol. (a), t. 203, nr 12, s. 3005-3010, wrz. 2006. otwiera się w nowej karcie
  208. R. Akhvlediani, I. Lior, S. Michaelson, i A. Hoffman, "Nanometer rough, sub-micrometer- thick and continuous diamond chemical vapor deposition film promoted by a synergetic ultrasonic effect", Diamond and Related Materials, t. 11, nr 3, s. 545-549, mar. 2002. otwiera się w nowej karcie
  209. W. A. Pliskin i H. S. Lehman, "Structural Evaluation of Silicon Oxide Films", J. Electrochem. Soc., t. 112, nr 10, s. 1013-1019, sty. 1965. otwiera się w nowej karcie
  210. J. Philip i in., "Elastic, mechanical, and thermal properties of nanocrystalline diamond films", Journal of Applied Physics, t. 93, nr 4, s. 2164-2171, sty. 2003.
  211. "Instrukcja laboratoryjna uniwersytet Princetone, New Jersey, USA". [Online]. otwiera się w nowej karcie
  212. [189] "What is e-beam evaporation? -ALB Materials Inc". [Online]. otwiera się w nowej karcie
  213. Y. Ando, Y. Nishibayashi, K. Kobashi, T. Hirao, i K. Oura, "Smooth and high-rate reactive ion etching of diamond", Diamond and Related Materials, t. 11, nr 3, s. 824-827, mar. 2002. otwiera się w nowej karcie
  214. H. Guo, Y. Qi, i X. Li, "Adhesion at diamond/metal interfaces: A density functional theory study", Journal of Applied Physics, t. 107, nr 3, s. 033722, luty 2010. otwiera się w nowej karcie
  215. Ł. Gołuński, K. Zwolski, i P. Płotka, "Electrical Characterization of Diamond/Boron Doped Diamond Nanostructures for Use in Harsh Environment Applications", IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. otwiera się w nowej karcie
  216. Eng., t. 104, nr 1, s. 012022, 2016. otwiera się w nowej karcie
  217. M. Nunotani i in., "Effects of Oxygen Addition on Diamond Film Growth by Electron- Cyclotron-Resonance Microwave Plasma CVD Apparatus", Jpn. J. Appl. Phys., t. 30, nr 7A, s.
  218. L1199, lip. 1991.
  219. D. S. Dandy, "Influence of the gas phase on doping in diamond chemical vapor deposition", Thin Solid Films, t. 381, nr 1, s. 1-5, 2001. otwiera się w nowej karcie
  220. S. Naoi, K. Natsui, i Y. Einaga, "Boron Concentration-Dependent Electrochemical Properties of Boron-Doped Diamond Electrodes", w Meeting Abstracts, 2016, s. 3585-3585. otwiera się w nowej karcie
  221. N. Fujimori, H. Nakahata, i T. Imai, "Properties of Boron-Doped Epitaxial Diamond Films", Jpn. J. Appl. Phys., t. 29, nr 5R, s. 824, maj 1990. otwiera się w nowej karcie
  222. J. Xu, M. C. Granger, Q. Chen, J. W. Strojek, T. E. Lister, i G. M. Swain, "Peer reviewed: boron-doped diamond thin-film electrodes", Analytical Chemistry, t. 69, nr 19, s. 591A-597A, 1997. otwiera się w nowej karcie
  223. H. A. Hoff i in., "Ohmic contacts to semiconducting diamond using a Ti/Pt/Au trilayer metallization scheme", Diamond and Related Materials, t. 5, nr 12, s. 1450-1456, grudz. 1996.
  224. P. Karabinas i D. Jannakoudakis, "Kinetic parameters and mechanism of the electrochemical oxidation of L-ascorbic acid on platinum electrodes in acid solutions", Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry, t. 160, nr 1, s. 159-167, sty. 1984. otwiera się w nowej karcie
  225. M. R. Deakin, P. M. Kovach, K. J. Stutts, i R. M. Wightman, "Heterogeneous mechanisms of the oxidation of catechols and ascorbic acid at carbon electrodes", Analytical Chemistry, t. 58, nr 7, s. 1474-1480, cze. 1986. otwiera się w nowej karcie
  226. I. Yagi, H. Notsu, T. Kondo, D. A. Tryk, i A. Fujishima, "Electrochemical selectivity for redox systems at oxygen-terminated diamond electrodes", Journal of Electroanalytical Chemistry, t. 473, nr 1, s. 173-178, wrz. 1999. Spis ilustracji: RYS. 1A) PRZEWODNOŚĆ W TEMPERATURZE POKOJOWEJ (B) KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W ZALEŻNOŚCI OD POZIOMU DOMIESZKI BORU. WARTOŚCI Z DONIESIEŃ LITERATUROWYCH ZAWARTYCH W PRACY W. GAJEWSKI I IN., "ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF BORON-DOPED NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS" [28]. .. 8 otwiera się w nowej karcie
  227. RYS. 2 A-F) PRZYKŁADOWE KSZTAŁTY MIKROELEKTROD WRAZ Z POLAMI DYFUZJI NA NICH. otwiera się w nowej karcie
  228. G-J) TYPOWE PRZYKŁADY STOSOWANYCH MATRYC MIKROELEKTROD. [65] G)
  229. MATRYCA MIKRO DYSKÓW, H) MIKRO PASMA ELEKTROD, I) ZINTEGROWANA
  230. MATRYCA MIKROELEKTROD (POZIOMO LUB PIONOWO), J) LINIOWA MATRYCA
  231. MIKROELEKTROD I TRÓJWYMIAROWA MATRYCA ELEKTROD. .......................................... 19
  232. RYS. 3 A) MIKROELEKTRODY ZNAJDUJĄCE SIĘ W WYCIĘTYCH LASEROWO OTWORACH W WARSTWIE IZOLUJĄCEJ. [77] B) PRZYKŁAD ZINTEGROWANYCH ELEKTROD W POSTACI
  233. RYS. 4 PRZYKŁADOWE ROZWIĄZANIA Z NIEZALEŻNYMI PODŁĄCZONYMI ELEKTRODAMI A)
  234. STOSOWANE DO NEUROBADAŃ [69], B) KWADRATOWE ELEKTRODY WYTWORZONE Z "LASU" NANORUREK [65]. ............................................................................................................... 21
  235. RYS. 5 UZYSKIWANIE ELEKTROD W DIAMENCIE POPRZEZ LASEROWĄ ABLACJĘ I POLEROWANIE DOMIESZKOWANEGO DIAMENTU [62]. .......................................................... 22 otwiera się w nowej karcie
  236. RYS. 6 UKŁAD 3 MIKROELEKTROD DIAMENTOWYCH A) MIKROELEKTRODA PRACUJĄCA O ŁĄCZNYM ROZMIARZE1,71X10 -4 CM 2 WYTWORZONA Z MAŁYCH 97 ELEKTROD,B) otwiera się w nowej karcie
  237. ELEKTORDA PRACUJĄCA O ROZMIARZE 3,14X10 -2 CM 2 [61]. .................................................. 23
  238. RYS. 9 WYKRES FAZOWY DLA ODMIAN ALOTROPOWYCH WĘGLA [92]. ..................................... 27
  239. RYS. 10 STRUKTURA KRYSTALOGRAFICZNA DIAMENTU I GRAFITU [96]. ................................... 28
  240. RYS. 11 RÓŻNICA W ENERGII POMIĘDZY GRAFITEM A DIAMENTEM I BARIERA ENERGETYCZNA POTRZEBNA DO WYTWORZENIA WIĄZAŃ W DIAMENCIE[97]. ............. 29
  241. RYS. 12 POSTACIE WARSTW WĘGLOWYCH W ZALEŻNOŚCI OD STOSUNKU ZAWARTOŚCI FAZ Z HYBRYDYZACJĄ SP 2 , SP 3 I ZAWARTOŚCIĄ WODORU [114]. ................................................ 31
  242. RYS. 13 TRÓJKĄT BACHMANA POKAZUJĄCY STOSUNEK GAZÓW (C, H, O) W KTÓRYCH PRZEBIEGA SYNTEZA WARSTW WĘGLOWYCH [115]. .............................................................. 32
  243. RYS. 14 SCHEMAT REAKTORA PROCESU µPACVD WSPOMAGANEGO PLAZMĄ MIKROFALOWĄ FIRMY ASTEX SEKI I WIZUALIZACJA KOMORY WRAZ Z TOREM MIKROFALOWYM [116].
  244. ................................................................................................................................................................ 33 otwiera się w nowej karcie
  245. RYS. 15 ZOBRAZOWANIE POZIOMÓW ENERGETYCZNYCH NA ZŁĄCZU METAL PÓŁPRZEWODNIK [142]..................................................................................................................... 38
  246. RYS. 16 PRZEJŚCIA MIĘDZY POZIOMAMI OSCYLACYJNYMI W SPEKTROSKOPII RAMANOWSKIEJ [150]....................................................................................................................... 44
  247. RYS. 17 PRZYKŁADOWE DOPASOWANIE KRZYWYCH DO OBLICZENIA PÓL POWIERZCHNI POD PIKAMI. ................................................................................................................................................. 46
  248. RYS. 19 ZALEŻNOŚĆ WSPÓŁCZYNNIKA KOREKCYJNEGO F2 W ZALEŻNOŚCI OD ROZMIARÓW
  249. PRÓBKI [162]. ....................................................................................................................................... 51
  250. RYS. 20 ZALEŻNOŚĆ WSPÓŁCZYNNIKA KOREKCYJNEGO OD GRUBOŚCI WARSTWY I ODLEGŁOŚCI MIĘDZY OSTRZAMI DLA F11 PODŁOŻA IZOLUJĄCEGO F12 PODŁOŻA
  251. RYS. 21 TRANSFER PRĄDU Z PÓŁPRZEWODNIKA DO METALU REPREZENTOWANY JEST PRZEZ STRZAŁKI. KONTAKT METAL/PÓŁPRZEWODNIK ...................................................................... 53
  252. RYS. 22 SCHEMAT BUDOWY STRUKTURY DO BADANIA REZYSTANCJI KONTAKTÓW METODĄ TLM I PRZYKŁADOWY WYKRES WYNIKU POMIARÓW [164]. ................................................. 54
  253. RYS. 23 SCHEMAT UKŁADU TRÓJELEKTRODOWEGO. 1 -ELEKTRODA PRACUJĄCA, 2 - ELEKTRODA ODNIESIENIA, ELEKTRODA POMOCNICZA. ........................................................ 55
  254. RYS. 25 KRZYWA WOLTAMPEROMETRYCZNA I = F(E) DLA PROCESÓW ODWRACALNYCH REDOKS [169]. .............................................................................................. 56
  255. RYS. 26 A) SCHODKOWY SPOSÓB POLARYZACJI ELEKTRODY W TECHNICE DPP [171], B)
  256. KRZYWA WOLTAMPEROMETRYCZNA W TECHNICE DPP ....................................................... 59
  257. RYS. 27 ZDJĘCIE Z MIKROSKOPU SIŁ ATOMOWYCH I WIZUALIZACJA POWIERZCHNI PO ZARODKOWANIU. .............................................................................................................................. 63
  258. RYS. 28 PORÓWNANIE WARSTW W ZALEŻNOŚCI OD ZARODKOWANIA A) WODA B) PVA C)
  259. TEOS D) NIECIĄGŁOŚCI WARSTWY PRZY WYKORZYSTANIU TEOS-U ................................ 64
  260. RYS. 29 PORÓWNANIE SPEKTROSKOPII RAMANOWSKIEJ DLA CIENKICH WARSTW PO ZARODKOWANIU, A) Z WYKORZYSTANIEM KOLOIDU PVA B) Z WYKORZYSTANIEM
  261. MIESZANINY WODY Z DIAMENTEM ............................................................................................. 65
  262. RYS. 30 PRZYKŁADOWE RÓŻNICE WYSTĘPUJĄCE POMIĘDZY OBSZARAMI PODCZAS TRAWIENIA NA MOKRO. CIEMNIEJSZE OBSZARY ŚCIEŻEK SĄ TO NIEWYTRAWIONE
  263. ELEMENTY. ......................................................................................................................................... 67
  264. RYS. 31 TRANSMITANCJA WARSTWY DIAMENTOWEJ DLA SPEKTRUM ŚWIATŁA OD UV DO IR DLA RÓŻNYCH PARAMETRÓW WZROSTU DIAMENTU. .......................................................... 68
  265. RYS. 32 GRUBOŚĆ WARSTWY FOTOREZYSTU AZ5214 W ZALEŻNOŚCI OD PRĘDKOŚCI WIROWANIA [187]. ............................................................................................................................ 69
  266. RYS. 33 WYGLĄD I SCHEMAT BUDOWY URZĄDZENIA DO NAPAROWANIA Z NAGRZEWANIEM MATERIAŁU PAROWANEGO WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ -E-BEAM EVAPORATOR
  267. RYS. 34 PROCESY TECHNOLOGICZNE TRAWIENIA WARSTWY Z ZARODKAMI A) Z WYKORZYSTANIEM MASKI ALUMINIOWEJ B) TWARDEJ MASKI KONTAKTOWEJ Z
  268. MOLIBDENU. ...................................................................................................................................... 76
  269. RYS. 35 OBRÓBKA WARSTWY Z ZARODKAMI A, B) WARSTWA DIAMENTOWA SYNTEZOWANA Z PVA PO TRAWIENIU PRZEZ MASKĘ Z ALUMINIUM P1, C, D) WARSTWA DIAMENTOWA
  270. SYNTEZOWANA Z PVA PO TRAWIENIA PRZEZ TWARDĄ KONTAKTOWĄ MASKĘ MOLIBDENOWĄ P2, E) WARSTWA PVA PO TRAWIENIU RIE, F) OBSERWACJA GĘSTOŚCI WYSTĘPOWANIA DIAMENTU W REJONIE NIEINTENCJONALNEGO WZROSTU DLA
  271. PROCESU P2. ....................................................................................................................................... 77
  272. RYS. 36 POZOSTAŁE DIAMENTY NA OBSZARZE TRAWIENIA. WIELKOŚĆ POJEDYNCZYCH KRYSZTAŁÓW JEST ZDECYDOWANIE WIĘKSZA OD KRYSZTAŁÓW POJAWIAJĄCYCH SIĘ
  273. W WARSTWACH. ............................................................................................................................... 78
  274. RYS. 37 SCHEMATY PRZEDSTAWIAJĄCE POSZCZEGÓLNE PROCESY OTRZYMYWANIA STRUKTUR Z DIAMENTU A) Z WYKORZYSTANIEM TRAWIENIA RIE POPRZEZ TWARDĄ MASKĘ KONTAKTOWĄ WYKONANĄ Z MOLIBDENU T2, B) Z WYKORZYSTANIEM
  275. METODY PONOWNEGO WZROSTU G1, C) TRAWIENIE POPRZEZ MASKĘ ALUMINIOWĄ
  276. OSADZANĄ NA DIAMENCIE Z WYKORZYSTANIEM TECHNIK FOTOLITOGRAFICZNYCH
  277. T1. .......................................................................................................................................................... 80 otwiera się w nowej karcie
  278. RYS. 38 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE TRAWIENIA PRZEZ TWARDĄ KONTAKTOWĄ MASKĘ MOLIBDENOWĄ T2 W RÓŻNYCH POŁOŻENIACH A) WIDOK NA OBSZAR TRAWIENIA Z
  279. ODDALENIA B) OBSZAR NIETRAWIONEGO DIAMENTU, C) FAZA PRZEJŚCIOWA D)
  280. GRANICA POMIĘDZY FAZĄ DIAMENTOWĄ I NIEDIAMENTOWĄ. ......................................... 80
  281. RYS. 39 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE TRAWIENIA PRZEZ OSADZONĄ MASKĘ AL. T1 W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH. POŁOŻENIACH A) WIDOK NA OBSZAR TRAWIENIA Z ODDALENIA B) GRANICA POMIĘDZY OBSZARAMI TRAWIENIA, C) OBSZAR
  282. NIESTRAWIONEGO DIAMENTU D) OBSZAR TRAWIENIA DIAMENTU Z POJEDYNCZYM NIESTRAWIONYM KRYSZTAŁEM. ................................................................................................. 81
  283. RYS. 40 ZDJĘCIA SEM PO PROCESIE PONOWNEGO WZROSTU PRZEZ MASKĘ SIO2 G1 W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH. A,B) RÓŻNE KSZTAŁTY, C) FRAGMENT PIERŚCIENIOWEJ
  284. PRZERWY O SZEROKOŚCI 5µM, D) GRANICA POMIĘDZY OBSZARAMI DIAMENTOWYM I TRAWIENIA, E) WZROST DIAMENTU NA NIEDOTRAWIONEJ WARSTWIE SIO2, F) DIAMENT
  285. W OBSZARZE NIETRAWIONYM. ..................................................................................................... 82
  286. RYS. 41 SCHEMATYCZNE PRZEDSTAWIENIE WARSTW NA PRZEKROJU JEDNEJ ELEKTRODY. ................................................................................................................................................................ 90
  287. RYS. 42 ZESTAWIENIE MASEK WSZYSTKICH POZIOMÓW. W OBSZARACH ZAZNACZONYCH PRZERYWANĄ LINIĄ WYZNACZONO POSZCZEGÓLNE OBSZARY ELEMENTÓW. ............. 96
  288. RYS. 43 OBSZAR ZNAKÓW CENTRUJĄCYCH I WYRÓŻNIENIE ICH DLA KOLEJNYCH POZIOMÓW. A) RZECZYWISTE WYKONANIE NA CZUJNIKU B) SCHEMAT WYSTĘPUJĄCY
  289. NA MASKACH. .................................................................................................................................... 97 otwiera się w nowej karcie
  290. RYS. 44 PRZYKŁADOWE ZESTAWIENIE WZORÓW ZNAKÓW CENTRUJĄCYCH. MASKA Z POZIOMU ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH (CZARNA) TO OKNO DO OBSERWACJI I CENTROWANIE WZORU DO ZNAKU CENTRUJĄCEGO WYTWORZONEGO NA POZIOMIE
  291. IZOLACJI .............................................................................................................................................. 98
  292. RYS. 45 SCHEMAT BUDOWY UKŁADÓW TLM I PODOBNYCH DO TLM I ICH POŁOŻENIE WZGLĘDEM CZUJNIKA. DOKŁADNIEJSZY OPIS W TEKŚCIE. .................................................. 99 otwiera się w nowej karcie
  293. RYS. 47 WYMIARY OBSZARU CZUJNIKA W OKOLICY ELEKTROD. .............................................. 101
  294. RYS. 48 PROJEKT FOTOMASKI DLA TRAWIENIA NIEINTENCJONALNIE DOMIESZKOWANEGO DIAMENTU Z POZIOMU IZOLACJI. ............................................................................................... 103
  295. RYS. 49 POZIOM IZOLACJI WYKONANY W PROCESIE "01" A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA OBSZARZE TRAWIENIA, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA), F) POMIAR RAMANA DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA PIKÓW. ............. 105
  296. RYS. 51 NANIESIONA MASKA SIO2 DO WYTWORZENIA POZIOMU ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH, A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA
  297. RAMANA WYKONANA NA 20µM OBSZARZE ZABEZPIECZAJĄCYM (POMIAR PRZEZ WARSTWĘ SIO2, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) WYNIKI SPEKTROSKOPII RAMANA
  298. DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA
  299. PIKÓW. ................................................................................................................................................ 108
  300. RYS. 52 PRAWIDŁOWO WYKONANY WZROST WARSTWY DIAMENTOWEJ NA POZIOM ŚCIEŻEK PRZEWODZĄCYCH, A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA OBSZARZE O NIEINTENCJONALNYM WZROŚCIE DIAMENTU, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM
  301. I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA DLA OBSZARU DIAMENTU PO ODCIĘCIU LINII BAZOWEJ I ZNALEZIENIU POŁOŻENIA PIKÓW.
  302. ............................................................................................................................................................ 110
  303. RYS. 53 ŚCIEŻKI Z DUŻĄ ZAWARTOŚCIĄ FAZ WĘGLOWYCH NA POWIERZCHNI SIO2,POWSTAŁE W WYNIKU ZBYT NISKIEJ MASKI A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH O NIEINTENCJONALNYM WYSTĘPOWANIU DIAMENTU D - POMIJALNIE MAŁE ILOŚCI FAZ WĘGLOWYCH, F -DUŻE SKUPISKA FAZ WĘGLOWYCH, E)
  304. ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI
  305. POMIAROWEJ URZĄDZENIA, ........................................................................................................ 111
  306. RYS. 54 POZIOM ŚCIEŻEK NA PODŁOŻACH Z DOMIESZKĄ TLENU. A,B,C) ZDJĘCIA
  307. MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA
  308. WYKONANA BLISKO OBSZARU ŚCIEŻEK, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, F) POMIAR RAMANA DLA OBSZARU W PEWNEJ ODLEGŁOŚCI
  309. OD ŚCIEŻKI. ...................................................................................................................................... 113
  310. RYS. 56 POZIOM ELEKTROD WYKONANIE MASKI Z SIO2., A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, (KRZYWIZNA PODŁOŻA WYNIKAJĄCA Z ZAKRESU POMIARU OK. 2CM I NIEDOKŁADNOŚCI POMIAROWEJ URZĄDZENIA, F) SPEKTROSKOPIA RAMANA W OBSZARZE POJEDYNCZYCH ZANIECZYSZCZEŃ WIDOCZNYCH POMIMO DODATKOWEJ
  311. WARSTWY SIO2. ............................................................................................................................... 116
  312. RYS. 57 POZIOM ELEKTROD. A,B,C) ZDJĘCIA MIKROSKOPOWE W RÓŻNYCH POWIĘKSZENIACH, D) SPEKTROSKOPIA RAMANA WYKONANA NA RÓŻNYCH OBSZARACH, E) ROZMIARY STRUKTURY ZMIERZONE Z UŻYCIEM PROFILOMETRU, F)
  313. POMIAR RAMANA POKAZUJĄCY RÓŻNICĘ W STOSUNKU PIKÓW DIAMENTOWEGO, NIEDIAMENTOWEGO I KRZEMOWEGO. ..................................................................................... 117
  314. RYS. 58 A) MASKA DO STWORZENIA OTWORÓW NA KONTAKTY, B) MASKA DO PRZEPROWADZENIA FOTOLITOGRAFII DLA PROCESU LIFT-OFF NA KONTAKTY
  315. METALOWE....................................................................................................................................... 118
  316. RYS. 59 KONTAKTY TI/AU NA POWIERZCHNI DIAMENTU, A, B) KONTAKTY NA POWIERZCHNI ŚCIEŻEK, NA PRÓBCE WIDOCZNE POJEDYNCZE OBSZARY ŁUSZCZENIA SIO2, C)
  317. KONTAKTY NA UKŁADZIE TLM, ZARYSOWANE PUNKTY ŚLADY PO POŁĄCZENIACH ZA POMOCĄ IGIEŁ, D) PRZYKŁADOWY PRZEKRÓJ ROZSZERZONEGO OBSZARU NA
  318. KONTAKTACH. ................................................................................................................................. 119 otwiera się w nowej karcie
  319. RYS. 60 SCHEMATYCZNE PRZEDSTAWIENIE UKŁADU TLM I UKŁADÓW PODOBNYCH DO TLM .............................................................................................................................................................. 123
  320. RYS. 61 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W STRUKTURZE TLM ŚCIEŻKI PRZEWODZĄCEJ (MET- BDD_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. ..................................... 123
  321. RYS. 62 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W PODOBNEJ DO TLM STRUKTURZE TESTOWEJ KONTAKTU ELEKTRODA DIAMENTOWA -ŚCIEŻKA PRZEWODZĄCA (BDD-BDD_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. .................................................................................... 125
  322. RYS. 63 PRZYKŁADOWE WYNIKI POMIARÓW ZALEŻNOŚCI REZYSTANCJI OD ODLEGŁOŚCI POMIĘDZY KONTAKTAMI W PODOBNEJ DO TLM STRUKTURZE TESTOWEJ DO BADANIA IZOLACJI POMIĘDZY ELEKTRODAMI ROBOCZYMI UMIESZCZONYMI NA NIEDOMIESZKOWANEJ WARSTWIE DIAMENTOWEJ (IZOL_TLM). W TABELI ZAWARTO WARTOŚCI ESTYMACJI PROSTYCH DLA PUNKTÓW POMIAROWYCH WRAZ Z ICH ODCHYLENIEM STANDARDOWYM. ............................................................................................ 127
  323. RYS. 64 UKŁAD POMIAROWY TRÓJELEKTRODOWY DO CYKLICZNEJ WOLTAMPEROMETRII, OPIS POSZCZEGÓLNYCH ELEMENTÓW ZAPREZENTOWANO NA ZDJĘCIU, W TLE KLATKA FARADAYA SŁUŻĄCA DO POMIARÓW Z NISKIM NATĘŻENIEM PRĄDU. .......................... 128
  324. RYS. 65 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE DLA MIKROELEKTRODY DIAMENTOWEJ I STANDARDOWEJ DUŻEJ ELEKTRODĄ DIAMENTOWEJ. ......................................................... 129
  325. RYS. 66 PORÓWNANIE KRZYWYCH WOLTAMPEROMETRYCZNYCH DLA A) 8 ELEKTROD WYSTĘPUJĄCYCH NA JEDNEJ MATRYCY, B) TEJ SAMEJ ELEKTRODY WYSTĘPUJĄCEJ NA
  326. RÓŻNYCH MATRYCACH. ............................................................................................................ 130
  327. RYS. 67 PRZYKŁADOWE KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE JEDNEJ MATRYCY NA ZAKRESIE ±0,5 V DO OKREŚLENIA POJEMNOŚCI ELEKTROD. A) PO ODRZUCENIU SKRAJNYCH WYNIKÓW, B) PORÓWNANIE SKRAJNYCH WYNIKÓW Z ŚRODKOWYCH
  328. WARTOŚCI ......................................................................................................................................... 131
  329. RYS. 68 PORÓWNANIE DETEKCJI ŻELAZOCYJANKÓW NA DUŻEJ I MIKRO ELEKTRODACH. 133
  330. RYS. 69 PORÓWNANIE KRZYWEJ WOLTAMPEROMETRYCZNEJ DLA CZYSTEGO ROZTWORU NA2SO4 I DETEKCJI ŻELAZOCYJANKÓW .................................................................................... 133
  331. RYS. 70 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE W PRZYPADKU KONTAKTU MIĘDZY CIECZĄ, A METALOWĄ ŚCIEŻKĄ. A) DLA ZAKRESU POTENCJAŁU ±0,5V I B) PORÓWNANIE Z
  332. ZAKRESEM POTENCJAŁU ±1,5V ................................................................................................... 134 otwiera się w nowej karcie
  333. RYS. 71 A) KILKA WYBRANYCH KINETYK DLA JEDNEJ ELEKTRODY Z WIDOCZNYMI OBOMA PIKAMI DLA ŻELAZOCYJANKÓW, B) ZALEŻNOŚĆ POMIĘDZY WYSOKOŚCIĄ PIKU, A
  334. PRĘDKOŚCIĄ SKANOWANIA. ........................................................................................................ 135
  335. RYS. 72 KRZYWE WOLTAMPEROMETRYCZNE ŻELAZOCYJANKÓW Z WIDOCZNYM JEDNYM PIKIEM W ZALEŻNOŚCI OD STĘŻENIA ŻELAZOCYJANKÓW. ................................................ 135
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 67 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi