Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Arkadiusz Szewczyk; Alicja Konczakowska; Barbara Stawarz-Graczyk

Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Abstract

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V

Authors (3)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania pages 13 - 15,
ISSN: 0033-2089
Language:: Polish
Publication year:: 2009
Bibliographic description:: Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.: Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC// Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania. -., (2009), s.13-15
Verified by:: Gdańsk University of Technology