Power devices in Polish National Silicon Carbide Program

Andrzej Kubiak; Mariusz Sochacki; Zbigniew Lisik; Jan Kazimierz Szmidt; Alicja Konczakowska; Roman Barlik

doi:10.1109/epepemc.2008.4635631

Power devices in Polish National Silicon Carbide Program

Abstract

Artykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży, technologii i konstrukcji diod Schottky'ego i tranzystorów FET. Przedstawiono w sposób opisowy badania przyrządów kompercyjnych, głównie produkcji CREE, diod Schottky'ego oraz wyniki aplikacji tych przyrządów w typowym układzie energoelektrycznym.

Citations

0

CrossRef
0

Web of Science
0

Scopus

Authors (6)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

full content of the article see on external site open in new tab

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Published in:: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY (Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials) no. 165, pages 18 - 22,
ISSN: 0921-5107
Language:: English
Publication year:: 2009
Bibliographic description:: Kubiak A., Sochacki M., Lisik Z., Szmidt J., Konczakowska A., Barlik R.: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program // MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY (Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials). -Vol. 165, nr. iss. 1-2, November. (2009), s.18-22
DOI:: Digital Object Identifier (open in new tab) 10.1109/epepemc.2008.4635631
Verified by:: Gdańsk University of Technology