Wyszukiwarka
Abstrakt
Artykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży, technologii i konstrukcji diod Schottky'ego i tranzystorów FET. Przedstawiono w sposób opisowy badania przyrządów kompercyjnych, głównie produkcji CREE, diod Schottky'ego oraz wyniki aplikacji tych przyrządów w typowym układzie energoelektrycznym.
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Autorzy (6)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY (Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials)
nr 165,
strony 18 - 22,
ISSN: 0921-5107 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2009
- Opis bibliograficzny:
- Kubiak A., Sochacki M., Lisik Z., Szmidt J., Konczakowska A., Barlik R.: Power devices in Polish National Silicon Carbide Program // MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY (Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials). -Vol. 165, nr. iss. 1-2, November. (2009), s.18-22
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/epepemc.2008.4635631
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 57 razy