Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

Abstrakt

W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.

Cytowania

0
CrossRef
0
Web of Science
1
Scopus

Informacje szczegółowe

Kategoria: Publikacja w czasopiśmie
Typ: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w: Przegląd Elektrotechniczny strony 333 - 338,
ISSN: 0033-2097
Język: polski
Rok wydania: 2017
Opis bibliograficzny: Czyż P., Reinke A., Michna M.: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 1 (2017), s.333-338
DOI: 10.15199/48.2017.01.78
wyświetlono 25 razy
Meta Tagi