Wyszukiwarka
Abstrakt
W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4
Scopus
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 244 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2017.01.78
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Przegląd Elektrotechniczny
strony 333 - 338,
ISSN: 0033-2097 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2017
- Opis bibliograficzny:
- Czyż P., Reinke A., Michna M.: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 1 (2017), s.333-338
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2017.01.78
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 246 razy