Wyszukiwarka
BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
Abstrakt
Tematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, żezaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niżzalecany przez producenta. W głównej części opracowaniazaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika.Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającegoo częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzonomożliwość budowania wysokosprawnych przekształtnikówz tranzystorami GaN
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
strony 31 - 34,
ISSN: 1425-5766 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2015
- Opis bibliograficzny:
- Czyż P., Cichowski A., Śleszyński W.: BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC// Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. -., nr. 47 (2015), s.31-34
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 105 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Enhancement of the Magnetoresistance in the Mobility‐Engineered Compensated Metal Pt 5 P 2
- A. H. Mayo,
- H. Takahashi,
- S. Ishiwata
- + 6 autorów