BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

Abstrakt

Tematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, żezaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niżzalecany przez producenta. W głównej części opracowaniazaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika.Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającegoo częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzonomożliwość budowania wysokosprawnych przekształtnikówz tranzystorami GaN

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej strony 31 - 34,
ISSN: 1425-5766
Język:
polski
Rok wydania:
2015
Opis bibliograficzny:
Czyż P., Cichowski A., Śleszyński W.: BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC// Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. -., nr. 47 (2015), s.31-34
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 17 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi