Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.

Wiesław Kordalski; Tomasz Stefański

Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.

Abstract

Zaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.

Authors (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Tomasz Stefański dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Kordalski W., Stefański T.: Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.// / : , 2004,
Verified by:: Gdańsk University of Technology