Search
Search results for: SCHEMAT ZASTĘPCZY
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego aplikatora plazmowego typu rezonator wnękowy
PublicationMikrofalowe aplikatory plazmowe wykorzystuje się między innymi do obróbki gazów, w tym do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów. Omówiony aplikator plazmowy pracuje przy częstotliwości 2,45 GHz. Wyładowanie mikrofalowe powstaje w tym aplikatorze pod ciśnieniem atmosferycznym. Głównym elementem konstrukcyjnym aplikatora jest falowód o obniżonej wysokości, w którym zamontowano dwie elektrody w postaci prętów. Dość dobra...
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze współosiowej zasilanego falowodem
PublicationW artykule przedstawiono schemat zastępczy oraz charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze współosiowej stosowanego w laboratorium do produkcji wodoru. Pomimo tego, że układ zastępczy dotyczy konkretnego generatora plazmy to jednak ma on cechy pozwalające na uogólnione stosowanie w podobnych typach generatorów
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze cylindrycznej zasilanego falowodem
PublicationW artykule przedstawiono schemat zastępczy oraz charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze cylindrycznej zasilanego falowodem standardowym WR 430 i pracującym przy częstotliwości 2,45 GHz. Generator ten jest stosowany w laboratorium do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów.
-
Układ zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego aplikatora plazmowego typu rezonator wnękowy (915 MHz)
PublicationMikrofalowe aplikatory plazmowe wykorzystuje się m.in. do obróbki gazów, w tym do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów. W pracy przedstawiono elektryczny schemat zastępczy o stałych skupionych mikrofalowego aplikatora typu rezonator wnękowy, wykonanego z odcinka falowodu prostokątnego WR 975. Omówiony aplikator plazmowy pracuje przy częstotliwości 915 MHz. Wyładowanie mikrofalowe powstaje w tym aplikatorze pod ciśnieniem...
-
Modelling of mutual coupling in microstrip antenna arrays fed by microstrip line.
PublicationPrzedstawiono wyniki modelowania sprzężenia pomiędzy prostokątnymi radiatorami mikropaskowymi w szyku liniowym anten zasilanych przez linie mikropaskowe. Zaproponowano schemat zastępczy sprzężenia w postaci kombinacji linii transmisyjnych wraz z sękami zwartymi i rozwartymi. Pokazano, że schemat taki dobrze modeluje sprzężenie w wąskim pasmie częstotliwości ok. 4%. Wyniki modelowania sprawdzono eksperymentalnie poprzez pomiary...
-
Modelling of mutual coupling in microstrip antenna arrays fed by microstrip line. Modelowanie sprzężenia w szykach anten mikropaskowych zasilanych przez linie mikropaskowe.
PublicationPrzedstawiono wyniki modelowania sprzężenia pomiędzy prostokątnymi radiatorami mikropaskowymi w szyku liniowym anten zasilanych przez linie mikropaskowe. Zaproponowano schemat zastępczy sprzężenia w postaci kombinacji linii transmisyjnych wraz z sękami zwartymi i rozwartymi. Pokazano, że schemat taki dobrze modeluje sprzężenie w wąskim pasmie częstotliwości ok. 4%. Wyniki modelowania sprawdzono eksperymentalnie poprzez pomiary...
-
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasi-stycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.
PublicationZaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...
-
Pomiary impendancji w warunkach ekstremalnych
PublicationW artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru impedancji w warunkach ekstremalnych. Jako takie należy rozumieć bardzo niskie lub bardzo wysokie wartości modułu impedancji, dużą dysproporcję składowych impedancji lub złożony schemat zastępczy, w którym wpływ elementów poszukiwanych jest maskowany przez inne pasożytnicze elementy. Omówiono rozwiązania sprzętowe jak też metody i algorytmy pomiarowe.
-
Investigation of pitting corrosion of aluminum by using deis methodbadanie korozji wżerowej aluminium przy użyciu metody deis
PublicationBadano odporność korozyjną stopu aluminium 1100. Zastosowano dynamiczną spektroskopię impedancyjną w połączeniu. Na podstawie uzyskanych wyników impedancyjnych i polaryzacyjnych zaproponowano elektryczny schemat zastępczy dla aluminium korodującego w warunkach dużej zawartoći jonów chlorkowych. Stwierdzono, że dynamiczna elektrochemiczna spektroskopia impedancyjna jest bardzo dobrym narzędziem do badania procesów korozyjnych oraz...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
UKŁAD I PROGRAM DO WYZNACZANIA PARAMETRÓW SCHEMATU ZASTĘPCZEGO SUPERKONDENSATORA
PublicationW pracy przedstawiono prototyp urządzenia do wyznaczania parametrów schematu zastępczego superkondensatora na podstawie jego charakterystyk ładowania i rozładowania. Urządzenie składa się ze sterowanego źródła prądowego do ładowania i rozładowywania superkondensatora, przetwornika analogowo-cyfrowego do pomiaru prądu i napięcia w trakcie eksperymentu oraz mikroprocesora do sterowania pomiarem i komunikacji z komputerem na którym...
-
Charakterystyki czujników wilgotności z dielektrykiem z porowatego tlenku glinu.
PublicationW pracy przedstawiono rezultaty badań charakterystyk ceramicznych czujników wilgotności z dielektrykiem z elektrolitycznie wytworzonego tlenku glinu.Pokazano wpływ doboru niektórych parametrów procesu elektro-katalitycznego na użytkowe charakterystyki czujników. Dokonano oceny dopasowania danych doświadczalnych, uzyskanych dla przedstawicieli dwóch grup czujników o różnych charakterystykach, do odpowiedzi dwóch znanych...