CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY - Czasopismo - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY

ISSN:

0232-1300

eISSN:

1521-4079

Dyscypliny:

  • automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria biomedyczna (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria środowiska, górnictwo i energetyka (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • biologia medyczna (Dziedzina nauk medycznych i nauk o zdrowiu)
  • nauki farmaceutyczne (Dziedzina nauk medycznych i nauk o zdrowiu)
  • rolnictwo i ogrodnictwo (Dziedzina nauk rolniczych)
  • biotechnologia (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
  • nauki chemiczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
  • nauki fizyczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)

Punkty Ministerialne: Pomoc

Punkty Ministerialne - aktualny rok
Rok Punkty Lista
Rok 2024 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
Punkty Ministerialne - lata ubiegłe
Rok Punkty Lista
2024 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
2023 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych 2023
2022 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2021 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2020 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2019 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2018 20 A
2017 20 A
2016 20 A
2015 20 A
2014 20 A
2013 20 A
2012 20 A
2011 20 A
2010 20 A

Model czasopisma:

Hybrydowe

Punkty CiteScore:

Punkty CiteScore - aktualny rok
Rok Punkty
Rok 2023 2.5
Punkty CiteScore - lata ubiegłe
Rok Punkty
2023 2.5
2022 2.3
2021 2.4
2020 2.2
2019 2
2018 2
2017 2
2016 1.7
2015 1.8
2014 2.4
2013 2.3
2012 2
2011 1.7

Impact Factor:

Zaloguj się aby zobaczyć Współczynnik Impact Factor dla tego czasopisma

Filtry

wszystkich: 6

  • Kategoria
  • Rok
  • Opcje

wyczyść Filtry wybranego katalogu niedostępne

Katalog Czasopism

Rok 2023
Rok 2011
Rok 2010
Rok 2002
  • Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
    Publikacja
    • A. Zdyb
    • J. M. Olchowik
    • D. Szymczuk
    • J. Mucha
    • K. Zabielski
    • M. Mucha
    • W. Sadowski

    - CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY - Rok 2002

    Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.

Rok 2001

wyświetlono 581 razy