Wyszukiwarka
Opis
8 nm layer of aluminum oxide (Al2O3) was deposited by ALD method on a s. Atomic layer deposition provides precise thickness control down to a single atomic layer. The precursors used were trimethylaluminum (Sigma-Aldrich) and purified water. The deposition of the atomic layer was carried out at 200 °C. To investigate the profile of concenration of elements film was etched by Ar ion gun 5 times. Each etching takes 30 sec. XPS measurements were carried out at room temperature under ultrahigh vacuum conditions and pressures below 1.1 x 10-6 Pa using Omicron NanoScience equipment. Data analysis was performed with the CASA XPS software package using Shirley background subtraction and Gauss-Lorentz curve fitting algorithm by the least-squares method - GL (30). The resulting spectra were calibrated to obtain a binding energy of 285.00 eV for C 1s.
Plik z danymi badawczymi
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcie
CC BYUznanie autorstwa - Dane surowe:
- Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-07-22
- Data wytworzenia:
- 2019
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/92k2-wd31 otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 114 razy