Electrical and noise responses of graphene back-gated field-effect transistors enhanced by UV light for organic vapors sensing

Opis

Back-gated field-effect transistors with graphene channels (GFETs) were investigated toward organic vapors sensing. Two methods were used for sensing experiments including DC characteristics measurements and fluctuation-enhanced sensing by low-frequency noise studies. The data set consists of raw and modified data on GFET responses to acetonitrile, tetrahydrofuran, chloroform, and acetone - DC and noise responses. The combination of electrical measurements with fluctuation-enhanced sensing enable enhanced vapors detection and underlie mechanisms responsible for surface processes under UV irradiation of graphene channel.

Plik z danymi badawczymi

GFET_data.zip

5.2 MB, S3 ETag 7522a009547865997a953198d83f3017-1, pobrań: 81

Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5

pobierz

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:: otwiera się w nowej karcie

CC BY

Uznanie autorstwa
Oprogramowanie:: Origin/Origin Viewer

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:

2023

Data zatwierdzenia:

2023-02-22

Język danych badawczych:

angielski

Dyscypliny:

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)

DOI:

10.34808/278q-s013

Finansowanie:

System detekcji gazu za pomocą czujników wykonanych z materiałów o strukturze dwuwymiarowej

Weryfikacja:

Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Powiązane zasoby

publikacja Organic Vapor Sensing Mechanisms by Large-Area Graphene Back-Gated Field-Effect Transistors under UV Irradiation

Cytuj jako

Autorzy

wyświetlono 252 razy

Wyszukiwarka