XRD patterns of V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111) - Open Research Data - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

XRD patterns of V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111)

Opis

The DataSet contains the XRD patterns of  V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111). The silicon wafers were etched in a mixture of nitric acid, hydrofluoric acid, and acetic acid in the ratio of 40:1:15. The soaking time for the substrates was from 30 to 90 seconds. The thin films were obtained by the sol-gel method.  The information about sol synthesis is described in the Journal of Nanomaterials. The sol was deposited on the silicon substrate and vanadium thin films were obtained by annealing as-prepared films at 600°C  under synthetic air. 

X-ray diffraction patterns (XRD) were collected on a Philips X’PERT PLUS diffractometer with Cu Ka radiation (1.5406 Å) and ranging from 10 to 80 degrees.

Plik z danymi badawczymi

XRD.zip
26.4 kB, S3 ETag a6ae75991a4f661b37ad9663679969b8-1, pobrań: 60
Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
pobierz plik XRD.zip

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:
Creative Commons: by 4.0 otwiera się w nowej karcie
CC BY
Uznanie autorstwa
Dane surowe:
Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
Oprogramowanie:
HighScore Plus

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:
2021
Data zatwierdzenia:
2021-06-22
Język danych badawczych:
angielski
Dyscypliny:
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
DOI:
Identyfikator DOI 10.34808/awv7-vn39 otwiera się w nowej karcie
Seria:
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Powiązane zasoby

Cytuj jako

wyświetlono 145 razy